[发明专利]有机发光二极管阵列的制备方法有效
申请号: | 201310724098.0 | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN104752630A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 简良能;郑荣安;安东;朱振东;林昌廷;吴逸蔚;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 阵列 制备 方法 | ||
1.一种有机发光二极管阵列的制备方法,其包括:
提供一基板;
在上述基板一表面形成有序排列的多个凸部,每个凸部对应至少一子像素;
至少在多个凸部的顶面形成多个第一电极,多个第一电极相互间隔设置;
在每个第一电极的表面转印形成一电激发光层作为有机发光层,其中,对应同一像素单元的三个电激发光层分别为发不同颜色光的电激发光层,且该三个电激发光层的制备方法包括:
提供一印模,并在该印模的表面形成一有机电激发光薄膜;
仅使对应同一像素单元的三个第一电极中的一个第一电极的表面与该有机电激发光薄膜接触;
使该一个第一电极与该印模分离,并在该一个第一电极的表面形成一电激发光层;以及
采用上述方法在所述对应同一像素单元的三个第一电极中的另外两个第一电极的表面形成电激发光层;
形成一图案化的第二绝缘层,且该图案化的第二绝缘层将位于相邻的凸部之间的基板表面覆盖,且使该有机发光层至少顶面暴露;以及
形成至少一第二电极,该至少一第二电极位于所述有机发光层远离基板的一侧且与该有机发光层电连接。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述基板包括一薄膜晶体管阵列,该薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管,每个薄膜晶体管对应一子像素,且所述在基板的表面形成有序排列的多个凸部具体包括:
形成一连续的第一绝缘层覆盖该薄膜晶体管阵列;以及
在该第一绝缘层远离该薄膜晶体管阵列的表面形成该多个凸部,且每个凸部对应至少一薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述基板包括一薄膜晶体管阵列,该薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管,每个薄膜晶体管对应一子像素;所述形成有序排列的多个凸部的步骤为形成多个呈阵列设置的凸部,每个凸部对应一薄膜晶体管设置,在每个凸部的表面形成一第一电极,每个第一电极对应一个薄膜晶体管且与该对应的薄膜晶体管电连接。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述基板包括一薄膜晶体管阵列,该薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管,每个薄膜晶体管对应一子像素;所述形成有序排列的多个凸部的步骤为形成多个平行且间隔设置的条形凸部,每个凸部对应一列薄膜晶体管设置,且在每个凸部的表面形成多个相互间隔的第一电极,每个第一电极对应一个薄膜晶体管且与该对应的薄膜晶体管电连接。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述至少在所述多个凸部的顶面形成多个第一电极的方法包括:
形成一连续的导电层将该多个凸部覆盖;
图案化该连续的导电层形成多个相互间隔设置的第一电极,且每个第一电极至少设置于对应凸部的顶面和侧面。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述在该印模的表面形成有机电激发光薄膜之前,先在该印模的表面形成一润湿层,所述使第一电极与印模分离的之前或分离的过程中对该印模进行热处理。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述在每个第一电极的表面转印形成一电激发光层的方法为:通过一次转印在对应同一子像素的第一电极的表面形成发相同颜色光的电激发光层。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述在该印模的表面形成一有机电激发光薄膜,且仅使该一个第一电极的表面与该有机电激发光薄膜接触的方法为:
所述印模具有对应的第二凸部,从而使该印模的表面具有不同高度的第一表面和第二表面;
在该印模的表面形成有机电激发光薄膜,且位于第一表面的有机电激发光薄膜高于位于第二表面的有机电激发光薄膜;以及
使该一个第一电极的表面与位于第一表面的有机电激发光薄膜接触,而另外两个第一电极与该位于第二表面的有机电激发光薄膜间隔且悬空设置。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述仅使该一个第一电极的表面与该有机电激发光薄膜接触的方法为:仅在该印模表面与该一个第一电极对应的位置形成有机电激发光薄膜。
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择