[发明专利]NAND型内容可寻址存储器

权利要求书

1.一种NAND型内容可寻址存储器，其特征在于，所述内容可寻址存储器包括若干内核单元，所述内核单元包括比较单元、读写单元和数据存储单元，其中，

所述比较单元包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，所述第一晶体管串联在匹配线上，所述第二晶体管和第三晶体管的栅极分别接一对互补的搜寻信号，第一电极与所述第一晶体管的栅极耦合；

所述读写单元包括第四晶体管和第五晶体管，所述第四晶体管和第五晶体管的栅极接字线，第一电极分别接第一位线和第二位线；

所述数据存储单元包括第六晶体管和第七晶体管，所述第六晶体管和第七晶体管的控制栅极接第一布线，漏极分别接第二布线和第三布线，第六晶体管的源极接第二晶体管和第四晶体管的第二电极，第七晶体管的源极接第三晶体管和第五晶体管的第二电极，所述第六晶体管和第七晶体管通过改变自身阈值电压存入数据位。

2.根据权利要求1所述的NAND型内容可寻址存储器，其特征在于，还包括：预充电单元，耦合到所述匹配线，用以将所述匹配线预充电至预定电压。

3.根据权利要求1所述的NAND型内容可寻址存储器，其特征在于：所述第六晶体管和第七晶体管存储两种数据位，所述第六晶体管和第七晶体管中的其中一者具有比另一者更低的阈值电压。

4.根据权利要求1所述的NAND型内容可寻址存储器，其特征在于：所述第六晶体管和第七晶体管存储三种数据位，所述第六晶体管和第七晶体管中的其中一者具有比另一者更低的阈值电压或者两者具有相同的阈值电压。

5.根据权利要求4所述的NAND型内容可寻址存储器，其特征在于：所述数据位为“0”、“1”和“X”，当数据位为“0”或“1”时，所述第六晶体管和第七晶体管中的其中一者具有比另一者更低的阈值电压；当数据位为“X”时，所述第六晶体管和第七晶体管具有相同的阈值电压。

6.根据权利要求4或5所述的NAND型内容可寻址存储器，其特征在于：所述相同的阈值电压为所述第六晶体管和第七晶体管写入数据位“1”后的阈值电压。

7.根据权利要求1所述的NAND型内容可寻址存储器，其特征在于：所述第六晶体管和第七晶体管除控制栅极、源极掺杂区、漏极掺杂区外，还包括半浮栅，且所述半浮栅的掺杂类型与源极掺杂区、漏极掺杂区相反；所述半浮栅与漏极掺杂区接触并形成一嵌入式二极管；所述控制栅极延伸至漏极掺杂区上方并覆盖其表面，所述半浮栅、漏极掺杂区及延伸至漏极掺杂区上方的控制栅极形成一嵌入式隧穿场效应晶体管。

8.根据权利要求1所述的NAND型内容可寻址存储器，其特征在于：所述若干内核单元构成一矩阵，所述矩阵中每一行内核单元对应一条匹配线，每一行内核单元通过第一晶体管串联在匹配线上，所述匹配线的末端连接一下拉管，所述下拉管连接公共接地端，每一列内核单元中的第二晶体管和第三晶体管的栅极共享同一对互补搜索信号。

9.根据权利要求1所述的NAND型内容可寻址存储器，其特征在于：还包括刷新单元，所述刷新单元耦合至所述读写单元和存储单元，且通过控制所述读写单元读出数据，通过控制所述存储单元擦除数据和重新写入数据。

10.根据权利要求9所述的NAND型内容可寻址存储器，其特征在于，所述刷新单元包括：

存储元件，用于存储从所述存储单元读出的数据；

写操作元件，用于将所述读出的数据重新写入所述存储单元。