[发明专利]大功率方片可控硅封装结构有效
| 申请号： | 201310724868.1 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103646927A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 许志峰 | 申请（专利权）人： | 江苏东光微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 214205 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大功率 可控硅 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率方片可控硅封装结构，其特征是它包括从上至下依次设置的上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2），前述上钼片（7）、第三焊料层（6）、芯片（5）、第二焊料层（4）、下钼片（3）和第一焊料层（2）均置于硅胶框（8）内，芯片（5）的两端插入硅胶框（8）内部，硅胶框（8）外部安装有导电外壳（1），所述的导电外壳（1）为顶部敞开，其余三面封闭的半包围结构，所述的导电外壳（1）的底部焊接在该大功率方片可控硅需要安装的位置。
2.根据权利要求1所述的大功率方片可控硅封装结构，其特征是所述的导电外壳（1）为铜外壳或者铝外壳。
3.根据权利要求1所述的大功率方片可控硅封装结构，其特征是所述的导电外壳（1）的厚度为1.5-2.5毫米。
4.根据权利要求3所述的大功率方片可控硅封装结构，其特征是所述的导电外壳（1）的厚度为2毫米。
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