[发明专利]一种多晶硅TFT器件及其制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅TFT器件，其特征在于，包括：

交错排列的扫描线和数据线；

与所述扫描线和数据线电连接的半导体层；以及

与所述半导体层电连接的像素电极；

所述半导体层自其与所述数据线的连接点至其与所述像素电极的连接点，形成依次间隔设置的多个通道区和掺杂区，所述通道区为所述半导体层与扫描线相交重叠的部分，其余部分为掺杂区，至少一个所述掺杂区的宽度为0.5-3um，离子掺杂浓度为2*E11~5*E15。

2.根据权利要求1所述的多晶硅TFT器件，其特征在于，扫描线（10）包括主线（100）和多个分支，其中第一分支（101）位于所述主线（100）上方并沿所述主线（100）的延伸方向与所述主线（100）相邻接；第二分支（102）和第三分支（103）均自所述主线（100）向下延伸设置并与所述主线（100）相垂直；所述第一分支（101）、第二分支（102）和第三分支（103）均为矩形，且均位于两数据线（12）之间。

3.根据权利要求2所述的多晶硅TFT器件，其特征在于，半导体层（11）的图案大致呈U形，按从第一连接点（120）到第二连接点（130）的顺序，其与所述扫描线第一分支（101）和所述主线（100）相交，重叠部分形成第一通道区（111a）；与所述扫描线第二分支（102）和第三分支（103）依次相交，重叠部分分别形成第二通道区（112a）和第三通道区（113a），所述第一通道区（111a）和第二通道区（112a）之间形成第一掺杂区（111b），所述第二通道区（112a）和第三通道区（113a）之间形成第二掺杂区（112b）；与所述扫描线主线（100）相交，重叠部分形成第四通道区（114a），所述第三通道区（113a）和第四通道区（114a）之间形成第三掺杂区（113b）。

4.根据权利要求3所述的多晶硅TFT器件，其特征在于，所述第一连接点（120）与所述第一通道区（111a）之间形成源极区（113），所述第二连接点（130）与所述第四通道区（114a）之间形成漏极区（114），所述第一连接点（120）和第二连接点（130）均为接触孔，所述源极区（113）通过第一接触孔（120）与所述数据线（12）电连接，所述漏极区（114）通过所述第二接触孔（130）与所述像素电极（13）电连接。

5.根据权利要求1所述的多晶硅TFT器件，其特征在于，扫描线（20）包括主线（200）和多个分支，其中第一分支（201）位于所述数据线（12）左侧，自所述主线（200）向下延伸设置并与所述主线（200）相垂直；第二分支（202）为L形，位于所述主线（200）上方、所述数据线（12）左侧，并与所述主线（200）相邻接；第三分支（203）位于所述数据线（12）右侧，垂直于所述主线（200）并延伸出所述主线（200）上下两侧；所述第一分支（201）、第二分支（202）和第三分支（203）均为矩形。

6.根据权利要求5所述的多晶硅TFT器件，其特征在于，半导体层（21）的图案大致呈方形螺旋结构，按从第一连接点（120）到第二连接点（130）的顺序，其与所述扫描线第一分支（201）相交，重叠部分形成第一通道区（211a）；与所述扫描线主线（200）相交，重叠部分形成第二通道区（212a），所述第一通道区（211a）和第二通道区（212a）之间形成第一掺杂区（211b）；与所述扫描线第二分支（202）相交，重叠部分形成第三通道区（213a），所述第二通道区（212a）和第三通道区（213a）之间形成第二掺杂区（212b）；与所述扫描线第三分支（203）相交，重叠部分形成第四通道区（214a），所述第三通道区（213a）和第四通道区（214a）之间形成第三掺杂区（213b）；与所述扫描线主线（200）及第二分支（202）依次相交，重叠部分形成第五通道区（215a），所述第四通道区（214a）和第五通道区（215a）之间形成第四掺杂区（214b）。