[发明专利]半导体装置

说明书

相关申请

本申请以日本专利申请2013-187776号(申请日:2013年9月10日)作为基础申请，享受优先权。本申请通过参照该基础申请，包含该基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

作为半导体装置的封装构造之一，以晶片级形成封装构造的半导体封装(Wafer level Chip Scale Package:WLCSP)实用化。WLCSP构造的半导体装置的一例中，形成与半导体芯片的电极衬垫(pad)电连接的再布线层，进行电极衬垫的再配置。具体地说，在半导体芯片的电极衬垫上设置再布线层，在再布线层具有的连接衬垫上设置基底金属层(Under Bump Metal:UBM)，在其上设置焊接凸起(bump)。此时，在连接衬垫上设置具有开口部的绝缘树脂层，该开口部中连接衬垫和基底金属层电连接。通过采用WLCSP构造，可以实现例如小型化、高密度安装化、低成本化等。另外，通过采用将外部连接端子设置到半导体芯片的平面区域的外侧的所谓扇出(fan out)型的WLCSP构造，也可以增加外部连接端子数。

WLCSP构造的半导体装置中，存在再布线层容易导致裂纹发生的问题。特别是热循环试验(TCT)等的可靠性试验实施时，例如由于再布线层和绝缘树脂层的热膨胀系数的差异，存在连接衬垫和绝缘树脂层的界面剥离、裂纹容易以界面的剥离为起点扩展的问题。裂纹发生导致布线断裂等成为可靠性降低的要因，因此寻求抑制裂纹发生的方法。

发明内容

本发明解决的课题是提供通过抑制裂纹的发生可以进一步提高可靠性的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：具有电极衬垫的半导体芯片；第1绝缘树脂层，其以使半导体芯片的具有电极衬垫的面的至少一部分露出的方式，埋入有半导体芯片；第2绝缘树脂层，其设置在半导体芯片及第1绝缘树脂层上，具有使电极衬垫的至少一部分露出的第1开口部；布线层，其具有连接衬垫，以在第1开口部中与电极衬垫电连接的方式，设置在第2绝缘树脂层上；第3绝缘树脂层，其设置在第2绝缘树脂层及布线层上，具有使连接衬垫的一部分露出的第2开口部和覆盖连接衬垫的周缘的被覆部；以及外部连接端子，其在第2开口部中与连接衬垫电连接。被覆部的宽度为连接衬垫的直径的2.5%以上。

附图说明

图1(A)和(B)是表示第1实施方式的半导体装置的俯视图及截面图。

图2是放大表示图1(B)所示半导体装置的一部分的截面图。

图3是表示图1所示半导体装置的制造工序的截面图。

图4是表示图1所示半导体装置的制造工序的截面图。

图5是表示图1所示半导体装置的制造工序的截面图。

图6是表示图1所示半导体装置的制造工序的截面图。

图7是表示第2实施方式的半导体装置的俯视图及截面图。

图8是表示图7所示半导体装置的制造工序的截面图。

图9是表示图7所示半导体装置的制造工序的截面图。

标号说明：

1半导体芯片，2绝缘树脂层，3绝缘树脂层，4布线层，5绝缘树脂层，6外部连接端子，7金属板，8绝缘树脂层，10半导体基板，11电极衬垫，12钝化膜，30开口部，41连接衬垫，51被覆部，52开口部，61基底金属层，62凸起，70开口部，111支撑基板，112支撑基板，113支撑基板

具体实施方式

以下，参照附图说明实施方式的半导体装置。另外，各实施方式中，实质相同的构成部位附上同一标号，说明省略。但是，附图是示意，厚度和平面尺寸的关系、各层的厚度的比率等因现实而异。说明中表示上下等的方向用语在没有特别说明的情况下，指以后述半导体基板的电路形成面侧为上时的相对方向，可能不同于以重力加速度方向为基准的现实方向。

(第1实施方式)

图1是第1实施方式的半导体装置的示图，图1(A)是俯视图，图1(B)是图1(A)的线段A-B中的截面图。另外，图2是图1(B)所示半导体装置的一部分(区域20)的放大截面图。图1及图2中，说明扇出型的半导体装置。

<半导体装置的构造例>