[发明专利]带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路及仿真方法有效
| 申请号： | 201310726976.2 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104753523B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094;G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等效电路 场效应管 寄生效应 圆形高压 电压控制电压源 源端电阻 寄生 电阻 漏端 漏极 正极 源 漏端 负极接 源漏端 源极 | ||
1.一种带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路，其特征在于：包含一个基于BSIM3标准的LDMOS管，一个MOS管，第一电阻及第二电阻，以及一个电压控制电压源，所述LDMOS管、MOS管、第一电阻及第二电阻、电压控制电压源的连接关系为：
所述LDMOS管的漏端连接第一电阻的第一端，LDMOS管的源端连接第二电阻的第一端，LDMOS管的栅极直接引出；
所述MOS管的栅极连接电压控制电压源的正极， MOS管的源极接电压控制电压源的负极，MOS管的漏极接所述第二电阻的第二端；
所述第一电阻的第二端引出为等效电路的漏极，第二电阻的第二端引出为等效电路的源极。
2.如权利要求1所述的带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路，其特征在于：所述的MOS管基于BSIM3标准模型，描述LDMOS管的寄生MOS管，其栅宽及栅长分别作为一个拟合数值放在宏模型中，并且该MOS管还具有开启电压、迁移率、衬偏效应参数、源/漏阻抗、温度特性参数、ute参数，作为MOS管模型拟合参数。
3.如权利要求1所述的带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路，其特征在于：所述的第一电阻描述LDMOS管漏端寄生电阻系数，第二电阻描述LDMOS管源端寄生电阻系数；第一电阻和第二电阻均包含BSIM3标准模型所含的温度和电压的修正系数。
4.如权利要求1所述的带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路，其特征在于：所述的电压控制电压源受LDMOS管的栅源电压控制，具有电压控制系数，其输出电压加在所述MOS管的栅源端。
5.如权利要求1所述的带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路的仿真方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：
第1步，构建所述带寄生效应的圆形高压场效应管的等效电路；
第2步，根据构建的带寄生效应的圆形高压场效应管的等效电路，进行仿真。
6.如权利要求5所述的带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路的仿真方法，其特征在于：所述的MOS管基于BSIM3标准模型，描述LDMOS管的寄生MOS管，其栅宽及栅长分别作为一个拟合数值放在宏模型中，并且该MOS管还具有开启电压、迁移率、衬偏效应参数、源/漏阻抗、温度特性参数、ute参数，作为MOS管模型拟合参数。
7.如权利要求5所述的带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路的仿真方法，其特征在于：所述的第一电阻描述LDMOS管漏端寄生电阻系数，第二电阻描述LDMOS管源端寄生电阻系数；第一电阻和第二电阻均包含BSIM3标准模型所含的温度和电压的修正系数。
8.如权利要求5所述的带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路的仿真方法，其特征在于：所述的电压控制电压源受LDMOS管的栅源电压控制，具有电压控制系数，其输出电压加在所述MOS管的栅源端。
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