[发明专利]一种优化PCM内存写的方法和装置

权利要求书

1.一种优化PCM内存写的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

最后一级缓存LLC接收写指令，其中LLC采用分段结构，每一个段又进一步分为更小的子段，每个子段有改变位；

判断LLC是否写命中；

当LLC写命中，数据写入LLC，同时将要写的数据与LLC的原有数据进行比较，若不等，则对应所述子段的改变位设置第一状态；当LLC写不命中，将改变位为第一状态的子段替换出去，替换出的LLC子段写入牺牲缓存，以便将数据写入相变存储器PCM，其中牺牲缓存设置在LLC与PCM之间，其中所述子段的大小与牺牲缓存行的大小相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当LLC写命中，将要写的数据与LLC的原有数据进行比较的步骤包括在要写的数据与原有数据相等的情况下，将对应子段的改变位设置第二状态，第二状态不同于第一状态。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，替换出的LLC子段写入牺牲缓存包括：

判断牺牲缓存是否写命中；

当牺牲缓存写不命中时，根据LRU选出一行；

在选出的牺牲缓存行的写回位为第三状态的时候，将选出的牺牲缓存的行替换出去，写入PCM。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述牺牲缓存中每一行增加了写回位WB，用于表示该行数据是否被写回内存。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述牺牲缓存写命中且写回位为第四状态时，将替换出的LLC子段写入该行，并将写回位设置为第三状态，第四状态不同于第三状态。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述牺牲缓存写不命中时，根据LRU选出一行，若该行的写回位为第四状态，则将替换出的LLC子段直接写入，覆盖该行。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述当牺牲缓存写不命中时，根据LRU选出一行包括根据LRU选出至少一个对应其它芯片的写回位为第三状态的一行；所述将选出的牺牲缓存行替换出去，替换出的牺牲缓存的行写入PCM包括将替换出的牺牲缓存的行和至少一个对应其它芯片的写回位为第三状态的一行同时写入PCM。

8.一种优化PCM内存写的装置，其特征在于，所述装置包括：

LLC，用于接收写指令，并判断LLC是否写命中；当LLC写命中，数据写入LLC，同时将要写的数据与LLC的原有数据进行比较，若不等，则对应所述子段的改变位设置第一状态；当LLC写不命中，将改变位为第一状态的子段替换出去，替换出的子段写入牺牲缓存；

牺牲缓存，位于LLC与PCM之间，用于存放LLC中被替换出的子段，并判断牺牲缓存是否写命中；当牺牲缓存写不命中时，根据LRU选出一行；在选出的牺牲缓存行的写回位为第三状态的时候，将选出的牺牲缓存的行替换出去，写入PCM。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括分路器,位于PCM内部，用于对所述替换出的牺牲缓存的行和至少一个对应其它芯片的写回位为第三状态的一行同时写入PCM的并行控制。