[发明专利]实现多电源上电时序和下电时序的控制装置及方法有效

专利信息
申请号: 201310727086.3 申请日: 2013-12-25
公开(公告)号: CN103699026A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 卢谦;李玲 申请(专利权)人: 烽火通信科技股份有限公司
主分类号: G05B19/04 分类号: G05B19/04
代理公司: 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 代理人: 魏殿绅;庞炳良
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 实现 电源 时序 控制 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种实现多电源上电时序和下电时序的控制装置,其特征在于:包括电源、电源转换芯片、比较器U1、可编程逻辑器件、第一分压电阻R1、第二分压电阻R2、第三分压电阻R3和第四分压电阻R4、电容C1、第一下拉电阻R5、第二下拉电阻R6、第三下拉电阻R7、第一电源芯片、第二电源芯片和第三电源芯片;比较器U1包括正供电管脚和负供电管脚;可编程逻辑器件包括电源端、输入接口、第一输出接口、第二输出接口、第三输出接口和接地端;

所述电源的正极与电源转换芯片的输入端相连,电源的负极接地;所述电源转换芯片的输出端通过第一分压电阻R1分别与第二分压电阻R2、比较器U1的反相输入端相连,第二分压电阻R2远离比较器U1的一端接地;所述电源转换芯片的输入端通过第三分压电阻R3分别与第四分压电阻R4、比较器U1的同相输入端相连,第四分压电阻R4远离比较器U1的一端接地;

所述比较器U1的正供电管脚与电源转换芯片的输出端相连,比较器U1的正供电管脚通过电容C1接地,比较器U1的负供电管脚接地,比较器U1的输出端与可编程逻辑器件的输入接口相连;可编程逻辑器件的第一输出接口与第一电源芯片的第一使能管脚相连,第一使能管脚通过第一下拉电阻R5接地;可编程逻辑器件的第二输出接口与第二电源芯片的第二使能管脚相连,第二使能管脚通过第二下拉电阻R6接地;可编程逻辑器件的第三输出接口与第三电源芯片的第三使能管脚相连,第三使能管脚通过第三下拉电阻R7接地;可编程逻辑器件的电源端与电源转换芯片的输出端相连,可编程逻辑器件的接地端接地。

2.如权利要求1所述的实现多电源上电时序和下电时序的控制装置,其特征在于:所述第一分压电阻R1的阻值为10kΩ,第二分压电阻R2的阻值为30.1kΩ,第三分压电阻R3的阻值为30.1kΩ,第四分压电阻R4的阻值为10kΩ。

3.如权利要求1所述的实现多电源上电时序和下电时序的控制装置,其特征在于:所述电容C1的容量为0.1μF。

4.如权利要求1所述的实现多电源上电时序和下电时序的控制装置,其特征在于:所述第一下拉电阻R5的阻值为10kΩ或者4.75kΩ,第二下拉电阻R6的阻值为10kΩ或者4.75kΩ,第三下拉电阻R7的阻值为10kΩ或者4.75kΩ。

5.一种基于权利要求1至4任一项所述装置的实现多电源上电时序和下电时序的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:

A、电源输向电源转换芯片的输入端输入电源电压,电源转换芯片将电源电压转化为输出电压;输出电压通过第一分压电阻R1和第二分压电阻R2分压,产生反相输入电压输入至比较器U1的反相输入端;电源电压通过第三分压电阻R3和第四分压电阻R4分压,产生同相输入电压输入至比较器U1的同相输入端;

B、比较器U1的输出端输出指示信号至可编程逻辑器件的输入接口;根据可编程逻辑器件预设第一上电间隔时间、第二上电间隔时间、第一下电间隔时间和第二下电间隔时间;

C、监测指示信号的电平,若指示信号的电平在2V以上,可编程逻辑器件依次输出三个2V以上的电平至第一使能管脚、第二使能管脚和第三使能管脚,第一使能管脚和第二使能管脚之间的间隔时间为第一上电间隔时间,第二使能管脚和第三使能管脚之间的间隔时间为第二上电间隔时间;若指示信号的电平在0.8V以下,可编程逻辑器件依次输出三个0.8V以下的电平至第一使能管脚、第二使能管脚和第三使能管脚,第一使能管脚和第二使能管脚之间的间隔时间为第一下电间隔时间,第二使能管脚和第三使能管脚之间的间隔时间为第二下电间隔时间。

6.如权利要求5所述的实现多电源上电时序和下电时序的控制方法,其特征在于:步骤A中所述电源电压为11.4V~12.6V,所述电源转换芯片的输出电压为3.15V~3.45V。

7.如权利要求6所述的实现多电源上电时序和下电时序的控制方法,其特征在于:步骤A中所述电源电压为12V,所述电源转换芯片的输出电压为3.3V。

8.如权利要求5至7任一项所述的实现多电源上电时序和下电时序的控制方法,其特征在于:所述第一上电间隔时间为10毫秒或者20毫秒,所述第二上电间隔时间为1毫秒。

9.如权利要求5至7任一项所述的实现多电源上电时序和下电时序的控制方法,其特征在于:所述第一下电间隔时间为20纳秒,所述第二下电间隔时间为20纳秒。

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