[发明专利]等离子体处理腔室及其静电夹盘的制造方法在审
| 申请号： | 201310727863.4 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104752119A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 贺小明 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/00 | 分类号： | H01J9/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 及其 静电 制造 方法 | ||
1.一种等离子体处理腔室的静电夹盘的制造方法，其中，所述制造方法包括如下步骤：
提供一陶瓷基底；
在所述陶瓷基底上打若干通孔，所述通孔用于容纳金属连接线；
提供若干金属连接线，将若干金属连接线分别镶嵌入所述陶瓷基底的所述若干通孔之中；
在真空环境中利用扩散焊加热镶嵌了金属连接线的陶瓷基底，使得所述金属连接线和通孔焊接在一起；
将直流电极层置于所述陶瓷基底之上；
在放置了直流电极层的陶瓷基底之上涂覆抗腐蚀层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括如下步骤：在真空环境中利用扩散焊加热镶嵌了金属连接线的陶瓷基底至0.5到0.7倍金属连接线的熔点值，再持续加热5到10分钟使得所述金属连接线和通孔焊接在一起。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通孔的直径和金属连接线的直径相同。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属连接线的热膨胀率远大于陶瓷基底和直流电极层。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述金属连接线的材料包括：铜、银、铝、金。
6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述陶瓷基底的材料包括氧化铝。
7.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述直流电极层的材料包括钨。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括如下步骤：利用真空沉积或者印刷的方法将直流电极层置于所述陶瓷基底之上。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述抗腐蚀层的材料包括氧化钇或氮化钇。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述抗腐蚀层是由物理气相沉积或等离子体喷涂来涂覆的。
11.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括如下步骤：在所述金属连接线下方链接软金属连接线。
12.一种等离子体处理腔室的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括权利要求1至11任一项所述的静电夹盘的制造方法。
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