[发明专利]一种汽车控制器的电源延时电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种电源延时电路，尤其是涉及一种汽车控制器的电源延时电路。

背景技术

随车汽车电子技术的发展，越来越多的电子控制单元出现在汽车上，如发动机控制器，变速箱控制器，整车控制器等。而这些控制器电源往往都是由汽车钥匙控制的，但在很多情况下，当汽车钥匙开关关闭或者出现故障时，控制器电源电路仍需要继续工作，用于存储数据或者保证某些部件处于安全状态。因而，要想满足控制器的这种功能，就需要设计一种电源延时电路。

目前，电源延时电路一般都是通过硬件延时，这种方法延时时间的长短由硬件参数决定，一旦设计完成延时时间就不可调节了，但是汽车运行工况复杂，需要延时时间的长短需要根据实际情况进行调节，此时，硬件延时难以满足需求。

发明内容

本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种成本低廉、控制灵活和安全可靠的汽车控制器的电源延时电路。

本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：

一种汽车控制器的电源延时电路，包括：电源保护模块、电源开关模块、软件延时模块和硬件延时模块，所述的电源开关模块分别连接电源保护模块、软件延时模块和硬件延时模块，所述的电源保护模块与外部电源连接，所述的软件延时模块与控制器MCU连接；所述的软件延时模块和硬件延时模块控制电源开关模块导通，从而控制控制器工作。

所述的电源保护模块包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第一P沟道MOSFET管、第一输入端和第二输入端，其中，

所述的第一输入端、第二输入端分别接外部电源的负极和正极；

所述的第一电容一端与第一输入端连接，另一端接地；

所述的第四电容一端与第二输入端连接，另一端接地；所述的第二电容、第三电容串联后连接在第一输入端和第二输入端之间；

所述的第一电阻一端与第一输入端连接，另一端与第一P沟道MOSFET管的栅极连接；

所述的第一P沟道MOSFET管的漏极与第二输入端连接，源极与电源开关模块连接。

所述的电源开关模块包括第二电阻、第五电容、第二P沟道MOSFET管、第一N沟道MOSFET管、第一输出端和第二输出端，其中，

所述的第一输出端、第二输出端分别为电源延时电路的负极和正极输出，所述的第一输出端与第一输入端连接；

所述的第二电阻一端与第一P沟道MOSFET管的源极连接，另一端与第二P沟道MOSFET管的栅极连接；

所述的第五电容一端与第一P沟道MOSFET管的源极连接，另一端接第二P沟道MOSFET管的栅极；

所述的第二P沟道MOSFET管的漏极与第二输出端连接，源极与第一P沟道MOSFET管的源极连接；

所述的第一N沟道MOSFET管的源极接地，漏极与第二电阻连接，栅极分别连接软件延时模块和硬件延时模块。

所述的软件延时模块包括第三电阻、第二N沟道MOSFET管、第四电阻、第三P沟道MOSFET管和第三输入端，其中，

所述的第三输入端与控制器MCU连接，接收软件延时信号；

所述的第三电阻一端与第一P沟道MOSFET管的源极连接，另一端与第二N沟道MOSFET管的漏极连接；

所述的第二N沟道MOSFET管的栅极与第三输入端连接，源极接地；

所述的第三P沟道MOSFET管的栅极与第二N沟道MOSFET管的漏极连接，源极与第一P沟道MOSFET管的源极，漏极与第四电阻一端连接，所述的第四电阻的另一端与第一N沟道MOSFET管的栅极连接；

所述的第三输入端为高电平时，驱动第二N沟道MOSFET管导通，进而驱动第三P沟道MOSFET管导通，第三P沟道MOSFET管驱动第一N沟道MOSFET管导通。

所述的硬件延时电路包括二极管、第五电阻、第六电容、第六电阻和第四输入端，其中，

所述的二极管阳极与第四输入端连接，阴极与第五电阻一端连接，所述的第五电阻另一端与第一N沟道MOSFET管的栅极连接；

所述的第六电容正极与第一N沟道MOSFET管的栅极，负极接地；

所述的第六电阻与第六电容并联；

所述的第四输入端为低电平时，二极管截止，第六电容放电，驱动第一N沟道MOSFET管持续导通。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

1、成本低廉：本发明的设计电路结构简单，依靠简单的电容、电阻、二极管、N沟道MOSFET管和MOSFET管就可以实现，制造成本低廉；