[发明专利]纳米多层复合膜及其制备方法有效
申请号: | 201310728915.X | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN103668062A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 吴日芳;江延军;王峰;高鹏万 | 申请(专利权)人: | 大连远东工具有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/32 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 贾汉生;李馨 |
地址: | 116113 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 多层 复合 及其 制备 方法 | ||
1.一种纳米多层复合膜,其特征在于,包括顺次设置的Ti层、复合层和TiN表层,所述复合层包括交替设置Ti2N+TiN层和TiN层。
2.根据权利要求1所述纳米多层复合膜,其特征在于,所述Ti层厚度为50-70nm。
3.根据权利要求1所述纳米多层复合膜,其特征在于,所述Ti2N+TiN层厚度为28-60nm;所述TiN层厚度为35-70nm。
4.根据权利要求1所述纳米多层复合膜,其特征在于,所述TiN表层的厚度为0.8-1.5μm。
5.根据权利要求1所述纳米多层复合膜,其特征在于,所述纳米多层复合膜厚度为2-5μm。
6.一种权利要求1-5任意一项所述纳米多层复合膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:首先在基体表面沉积Ti层;然后在Ti层背离基体的一侧沉积复合层;最后在复合层上沉积TiN表层;
其中,所述复合层通过交替沉积Ti2N+TiN层和TiN层制备而成。
7.根据权利要求6所述纳米多层复合膜的制备方法,其特征在于,所述沉积采用多弧离子镀技术完成。
8.根据权利要求6所述纳米多层复合膜的制备方法,其特征在于,所述Ti2N+TiN层的制备包括,Ti靶材和氮气分别离化,采用多弧离子镀技术在Ti层上通过脉冲Ar气将Ti2N和TiN混合沉积。
9.根据权利要求6所述纳米多层复合膜的制备方法,其特征在于,所述纳米多层复合膜的制备通过压强仪控制气体压强,气分压为6-8×10-1Pa。
10.根据权利要求6所述纳米多层复合膜的制备方法,其特征在于,所述基体为金属基体,所述基体的温度为340-380℃。
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