[发明专利]侧向扩散式金氧半场效晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种侧向扩散式金氧半场效晶体管结构，其包含：

半导体基板，其中具有一沟槽；

漏极区，形成于该沟槽底部的该半导体基板中；

轻掺杂漏极区，形成于该沟槽侧壁的该半导体基板中；

源极区，形成于该半导体基板中；以及

栅极结构，形成于该漏极区与该源极区间以及该轻掺杂漏极区上方的该半导体基板表面上。

2.如权利要求1所述的侧向扩散式金氧半场效晶体管结构，其中该沟槽与该栅极结构的侧壁表面上还设置有一间隙壁。

3.如权利要求2所述的侧向扩散式金氧半场效晶体管结构，其中该间隙壁由氧化硅、氮化硅以及氧化硅三层结构所完成。

4.如权利要求1所述的侧向扩散式金氧半场效晶体管结构，其中该栅极结构下方的该半导体基板中还设置有一漂移区。

5.如权利要求4所述的侧向扩散式金氧半场效晶体管结构，其中该漂移区位于该栅极结构下方该轻掺杂漏极区与一低电压P型阱区间的一深N型阱区。

6.如权利要求5所述的侧向扩散式金氧半场效晶体管结构，其还包括一P型基体区，位于该低电压P型阱区中。

7.如权利要求5所述的侧向扩散式金氧半场效晶体管结构，该漏极区形成于一低电压N型阱区中，且该低电压N型阱区位于该沟槽底部的该深N型阱区中。

8.一种侧向扩散式金氧半场效晶体管制造方法，其包含：

提供一半导体基板；

于该半导体基板表面上方形成一栅极结构；

于该栅极结构一侧的该半导体基板中形成有一沟槽；

利用一第一掺杂制作工艺于该沟槽侧壁的该半导体基板中形成一轻掺杂漏极区；以及

利用一第二掺杂制作工艺于该栅极结构两侧的该半导体基板中形成一漏极区与一源极区，该漏极区形成于该沟槽底部的该半导体基板中。

9.如权利要求8所述的侧向扩散式金氧半场效晶体管制造方法，其中于进行该第二掺杂制作工艺前还包括：于该沟槽与该栅极结构的侧壁表面上形成一间隙壁。

10.如权利要求9所述的侧向扩散式金氧半场效晶体管制造方法，其中形成该间隙壁包含依序形成一氧化硅层、一氮化硅层以及一氧化硅层。

11.如权利要求8所述的侧向扩散式金氧半场效晶体管制造方法，其还包括：在该栅极结构下方的该半导体基板中形成一漂移区。

12.如权利要求11所述的侧向扩散式金氧半场效晶体管制造方法，其中该漂移区由位于该栅极结构下方该轻掺杂漏极区与一低电压P型阱区间的一深N型阱区所形成。

13.如权利要求12所述的侧向扩散式金氧半场效晶体管制造方法，其还包括：在该低电压P型阱区中形成一P型基体区。

14.如权利要求8所述的侧向扩散式金氧半场效晶体管制造方法，在形成该沟槽后与进行该第一掺杂制作工艺间还包括：进行一回火热制作工艺。