[发明专利]铕掺杂氧化钆发光薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种铕掺杂氧化钆发光薄膜，其特征在于，其结构通式为Gd₂O₃:xEu³⁺；其中，Gd₂O₃是基质，Eu³⁺是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心；x的值为0.01～0.08。

2.根据权利要求1所述的铕掺杂氧化钆发光薄膜，其特征在于，x的值为0.05。

3.一种权利要求1所述的铕掺杂氧化钆发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）、先后用甲苯、丙酮和乙醇分别超声清洗衬底5分钟，然后用蒸馏水冲洗干净，氮气风干后送入真空镀膜设备反应室；

（2）、对真空镀膜设备反应室抽真空处理，使其真空度抽至1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa后；先于700℃下热处理衬底10～30分钟，然后温度降为250℃～650℃；

（3）打开镀膜设备的旋转电机，调节镀膜工艺参数：衬底托的转速为50～1000转/分，先通入气流量为5～15sccm且含有机金属源的Ar载气，然后通入气流量为10～200sccm的氧气，开始薄膜的沉积；其中，所述有机金属源分别选用摩尔比为1-x：x的化学式为Gd(DPM)₃的三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钆和化学式为Eu(DPM)₃的三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铕；

（4）待沉积薄膜的厚度为80～300nm后，关闭含有机金属源的Ar载气，并继续通氧气，且将反应室的温度降到室温，即得到结构通式为Gd₂O₃:xEu³⁺的铕掺杂氧化钆发光薄膜；其中，Gd₂O₃是基质，Eu³⁺是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心；x的值为0.01～0.08。

4.根据权利要求3所述的铕掺杂氧化钆发光薄膜的制备方法，其特征在于，对真空镀膜设备反应室抽真空处理是采用机械泵和分子泵进行抽真空的。

5.根据权利要求3或4所述的铕掺杂氧化钆发光薄膜的制备方法，其特征在于，反应室的真空度为4.0×10^-3Pa。

6.根据权利要求3所述的铕掺杂氧化钆发光薄膜的制备方法，其特征在于，镀膜工艺参数：衬底托的转速为300转/分，Ar载气的气流量为10sccm，氧气的气流量为120sccm。

7.根据权利要求3所述的铕掺杂氧化钆发光薄膜的制备方法，其特征在于Gd₂O₃:xEu³⁺中的x的值为0.05。

8.一种如权利要求1或2所述铕掺杂氧化钆发光薄膜作为有机电致发光器件发光层薄膜的应用。