[发明专利]响应度空间可变PIN光电探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种响应度空间可变PIN光电探测器，其特征在于，在长条矩形I型硅衬底SiO₂绝缘层上设置长条矩形光敏面，在光敏面增透膜上设置有一系列从长条矩形中心到两边宽度逐渐变窄的长条形Au膜，并由长条形Au膜的间隙构成光敏区；所述Au膜为蒸镀膜，所述长条形Au膜采用光刻蚀方法制备，所述光敏区的宽度从长条矩形中心到两边宽度逐渐变宽。

2.根据权利要求1所述响应度空间可变PIN光电探测器，其特征在于，长条矩形I型硅衬底SiO₂绝缘层的尺寸为12mm×3.5mm，长条矩形光敏面的尺寸为10mm×2.8mm，单个光敏区为长为10mm，中心最窄处尺寸为22μm，两边最宽处的尺寸为63μm。

3.一种响应度空间可变PIN光电探测器制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

S1、在长条矩形低掺杂浓度的I型硅衬底上淀积10nm厚度的SiO₂绝缘层；

S2、采用腐蚀方法，在SiO₂绝缘层上没有涂覆光刻胶的区域形成矩阵形式的开口区域；

S3、采用B扩散工艺将硼离子扩散进开口区域的I型硅衬底中，形成P型光敏区；

S4、在探测器整个表面淀积一层Si₃N₄增透膜；

S5、采用P扩散工艺将磷离子扩撒在探测器背面形成N型接触区；

S6、采用腐蚀方法，在Si₃N₄增透膜上形成电极孔；

S7、在整个Si₃N₄增透膜上蒸镀一层Au膜；

S8、采用光刻和腐蚀的方法在Au膜上刻蚀出宽度逐渐变窄的图形和P电极；

S9、采用蒸发的方式在探测器背面制作N电极。

4.根据权利要求3所述响应度空间可变PIN光电探测器制作方法，其特征在于，长条矩形I型硅衬底SiO₂绝缘层的尺寸为12mm×3.5mm，长条矩形光敏面的尺寸为10mm×2.8mm，单个光敏区长为10mm，中心最窄处尺寸为22μm，两边最宽处的尺寸为63μm。