[发明专利]一种从髙硅原料中提取锗方法有效
申请号: | 201310730941.6 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN103667693A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 李世平;倪常凯;韦国龙;周代江 | 申请(专利权)人: | 贵州顶效开发区宏达金属综合回收有限公司 |
主分类号: | C22B3/08 | 分类号: | C22B3/08;C22B3/28;C22B41/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 谷庆红 |
地址: | 562409 贵州省黔*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 原料 提取 方法 | ||
1.一种从髙硅原料中提取锗方法,其特征在于:首先采用含氟H2SO4溶液从髙硅原料中氟化浸出锗,并且添加锗络合剂,获得氟化浸出液;再使用叔胺-煤油体系与氟化浸出液进行萃取,再用氢氧化钠进行反萃取,水解,获得含Ge6%以上锗精矿;萃取余液为含氟余液,加入钙盐中和剂中和并过滤,获得GaF2;再将GaF2用H2SO4溶解,获得含氟的H2SO4溶液,返回氟化浸出过程中再利用。
2.如权利要求1所述的从髙硅原料中提取锗方法,其特征在于:所述的髙硅原料为含SiO2为≥2%以上,含Ge≥0.01%的铅锌矿及其H2SO4浸出渣或者是硅锗固熔体原料,锗的氯化蒸馏残渣。
3.如权利要求1所述的从髙硅原料中提取锗方法,其特征在于:所述的含氟H2SO4溶液为含有NH4F或HF中一种或两种的H2SO4溶液。
4.如权利要求3所述的从髙硅原料中提取锗方法,其特征在于:所述的含氟H2SO4溶液,其H2SO4的质量体积分数为1-50g/L、NH4F或HF的质量体积分数为5~40g/L。
5.如权利要求1所述的从髙硅原料中提取锗方法,其特征在于:所述的氟化浸出锗的浸出条件为温度60~90℃,时间120~180min,液固比为2~4。
6.如权利要求1所述的从髙硅原料中提取锗方法,其特征在于:所述的锗络合剂的添加量为氟化浸出液中含Ge的质量分数的3-5倍。
7.如权利要求1或6所述的从髙硅原料中提取锗方法,其特征在于:所述的锗络合剂为酒石酸。再用N235和煤油进行萃取,NaOH反萃。
8.如权利要求1所述的从髙硅原料中提取锗方法,其特征在于:所述的氢氧化钠反萃取后,需要加入硫酸进行PH值调节为8-10水解,再在300-500℃下煅烧,即可获得含Ge质量分数为≥6%,含F质量分数为≤0.8%的锗精矿。
9.如权利要求1所述的从髙硅原料中提取锗方法,其特征在于:所述的萃取余液加入钙盐中和后,PH值为8-10,过滤,获得GaF2渣;再用质量体积分数为50g/L的H2SO4水溶液在80~90℃溶解GaF2渣,过滤,得到含F质量体积分数为3~5g/L的硫酸液,含F<0.4%的CaSO4渣。
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