[发明专利]铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201310731223.0 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104745185A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;陈吉星;王平;张振华 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/75 | 分类号： | C09K11/75;H01L51/54 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铕铽共 掺杂 锆锑酸盐 发光 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜，其特征在于，其结构通式为RZr4-x-ySb6O24∶xEu2+,yTb3+；其中，RZr4Sb6O24是基质，Eu2+和Tb3+是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心；R为Mg、Ca、Ba或Sr，x的取值为0.01～0.05，y的取值为0.005～0.03。
2.根据权利要求1所述的铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜，其特征在于，x的取值为0.03，y的取值为0.01。
3.一种权利要求1所述的铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）陶瓷靶材的制备：称取RO，ZrO2，Sb2O5，Eu2O3和Tb4O7粉体，其摩尔比为1：（4-x-y）：3：x/2：y/4，经过均匀混合后，在900～1300℃下烧结，制成Φ50×2mm的陶瓷靶材；
（2）将步骤（1）中的陶瓷靶材以及ITO衬底装入镀膜设备的真空腔体中，用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；
（3）调节制膜工艺参数：基靶间距为45～95mm，衬底温度为250℃～750℃，工作压强0.2～4Pa，然后通入氩气作为工作气体，气体流量10～35sccm，进行薄膜制备；
（4）停止薄膜制备，得到的样品在0.01Pa真空炉中退火1～3h，退火温度为500℃～800℃，得到所述铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜，该发光薄膜的结构通式为RZr4-x-ySb6O24∶xEu2+,yTb3+；其中，RZr4Sb6O24是基质，Eu2+和Tb3+是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心；R为Mg、Ca、Ba或Sr，x的取值为0.01～0.05，y的取值为0.005～0.03。
4.根据权利要求3所述的铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，陶瓷靶材的制备过程中，烧结温度为1250℃。
5.根据权利要求3所述的铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，镀膜设备真空腔体中的真空度为5.0×10-4Pa。
6.根据权利要求3所述的铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，调节制膜工艺参数为：基靶间距为60mm，衬底温度为500℃，通入氩气作为工作气体，气体流量为25sccm，工作压强为2.0Pa。
7.根据权利要求3所述的铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，得到的样品在0.01Pa真空炉中退火时间为2h，退火温度为600℃。
8.根据权利要求3所述的铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，x的取值为0.03，y的取值为0.01。
9.一种如权利要求1或2所述铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜在有机电致发光器件发光层领域中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司;，未经海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310731223.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
