[发明专利]化学气相沉积方法和装置

权利要求书

1.一种化学气相沉积方法，该化学气相沉积方法包括向设置有基片的反应腔内通入金属源前驱体和非金属源前驱体，其特征在于，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过在化学气相沉积过程中始终开启的等离子体发生装置，且所述金属源前驱体脉冲地通入所述反应腔中。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，该化学气相沉积方法包括脉冲地向所述反应腔内通入所述非金属源前驱体。

3.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，该化学气相沉积方法包括连续地向所述反应腔内通入所述非金属源前驱体。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的化学气相沉积方法，其特征在于，该化学气相沉积方法还包括在通入所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体的同时，向所述反应腔内通入承载气体。

5.根据权利要求4所述的化学气相沉积方法，其特征在于，该化学气相沉积方法包括连续地向所述反应腔内通入所述承载气体。

6.一种化学气相沉积装置，该化学气相沉积装置包括提供金属源前驱体的金属源前驱体源、提供非金属源前驱体的非金属源前驱体源、控制器、反应腔和等离子体发生装置，所述金属源前驱体源和所述非金属源前驱体源均与所述反应腔相通，且所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过所述等离子体发生装置，所述控制器与所述等离子体发生装置电连接，其特征在于，所述控制器能够控制所述等离子体发生装置在所述化学气相沉积过程中始终开启。

7.根据权利要求6所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述等离子体发生装置设置在所述反应腔内，且所述等离子体发生装置包括射频电源、下电极和中空的上电极，所述金属源前驱体源、所述非金属源前驱体源和所述反应腔均与所述上电极的内部相通，所述射频电源与所述控制器电连接。

8.根据权利要求7所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述上电极的下部设置有气体匀流板，该气体匀流板上设置有多个均匀分布的通孔，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体经过所述气体匀流板上的所述通孔进入所述反应腔内。

9.根据权利要求6至8中任意一项所述的化学气相沉积装置，其特征在于，该化学气相沉积装置还包括承载气体源，该承载气体源经过所述等离子体发生装置与所述反应腔相通。

10.根据权利要求9所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述金属源前驱体源通过第一管道与所述反应腔相通，所述非金属源前驱体源通过所述第二管道与所述反应腔相通，所述承载气体源通过第三管道与所述反应腔相通，所述第一管道上设置有第一开关阀，所述第二管道上设置有第二开关阀，所述第三管道上设置有第三开关阀，所述第一开关阀和所述第二开关阀均与所述控制器电连接。