[发明专利]锰掺杂锑酸铈发光薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种锰掺杂锑酸铈发光薄膜，其特征在于，其结构通式为CeSb₅O₁₄：xMn⁴⁺；其中，CeSb₅O₁₄是基质，Mn⁴⁺是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心；x的取值为0.01～0.08。

2.根据权利要求1所述的锰掺杂锑酸铈发光薄膜，其特征在于，x的取值为0.05。

3.一种权利要求1所述的锰掺杂锑酸铈发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）陶瓷靶材的制备：称取CeO₂，Sb₂O₅，MnO₂粉体，其摩尔比为1：2.5：x，经过均匀混合后，在900～1300℃下烧结，制成陶瓷靶材；

（2）将步骤（1）中的陶瓷靶材以及ITO衬底装入镀膜设备的真空腔体中，用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

（3）调节制膜工艺参数：基靶间距为45～95mm，衬底温度为250℃～750℃，工作压强0.2～4Pa，然后通入氩气作为工作气体，气体流量10～35sccm，进行薄膜制备；

（4）停止薄膜制备，得到的样品在0.01Pa真空炉中退火1～3h，退火温度为500℃～800℃，得到所述锰掺杂锑酸铈发光薄膜，该发光薄膜的结构通式为CeSb₅O₁₄：xMn⁴⁺；其中，CeSb₅O₁₄是基质，Mn⁴⁺是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心；x的取值为0.01～0.08。

4.根据权利要求3所述的锰掺杂锑酸铈发光薄膜的制备方法，其特征在于，陶瓷靶材的制备过程中，烧结温度为1250℃。

5.根据权利要求3所述的锰掺杂锑酸铈发光薄膜的制备方法，其特征在于，镀膜设备真空腔体中的真空度为5.0×10^-4Pa。

6.根据权利要求3所述的锰掺杂锑酸铈发光薄膜的制备方法，其特征在于，调节制膜工艺参数为：基靶间距为60mm，衬底温度为500℃，通入氩气作为工作气体，气体流量为25sccm，工作压强为2.0Pa。

7.根据权利要求3所述的锰掺杂锑酸铈发光薄膜的制备方法，其特征在于，得到的样品在0.01Pa真空炉中退火时间为2h，退火温度为600℃。

8.根据权利要求3所述的锰掺杂锑酸铈发光薄膜的制备方法，其特征在于，x的取值为0.05。

9.一种如权利要求1或2所述锰掺杂锑酸铈发光薄膜在有机电致发光器件发光层领域中的应用。