[发明专利]一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法

权利要求书

1.一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

(1)将表面活性剂加入到羟基化合物中混合溶解；

(2)向混合溶液中加入由羟基化合物溶解的银盐和卤化物，搅拌混合形成种子溶液；

(3)加入作为生长液的羟基化合物溶解的银盐；

(4)一定温度下，在光源照射下控制银纳米线的生长，得到不同直径和长度的银纳米线。

2.根据权利要求1所述的一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法，其特征在于：所述羟基化合物在16^oC时粘度不低于18mPa·s，优选粘度不低于25mPa·s。

3.根据权利要求1所述的一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法，其特征在于：所述银盐的摩尔浓度不高于100M；优选为0.01~0.5M。

4.根据权利要求1所述的一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法，其特征在于：所述光源的光照强度不低于15μw/cm²，优选600μW/cm²-10000μW/cm²。

5.根据权利要求1所述的一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法，其特征在于：所述光源选自太阳光、可见光、紫外光、红外光中的一种或多种。

6.根据权利要求5所述的一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法，其特征在于：所述太阳光、可见光的光波波长范围在770～350纳米之间的光，包括770～622nm的红光、622～597nm的橙光、597～577nm的黄光、577～492nm的绿光、492～455nm的蓝靛光、455～350nm的紫光。

7.根据权利要求5所述的一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法，其特征在于：所述紫外光包括波长范围分别为400~315nm、315~280nm、280~190nm的紫外光。

8.根据权利要求1所述的一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法，其特征在于：所述温度不高于350^oC，优选为65^oC-300^oC，进一步优选温度为95^oC-250^oC，更优选120^oC-220^oC。

9.根据权利要求1所述的一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法，其特征在于：所述银盐为可溶性银盐，所述卤化物为可溶性卤化物，所述表面活性剂选自聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇中的一种或两种。

10.根据权利要求9所述的一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法，其特征在于：所述卤化物为可溶性溴化物、碘化物或氯化物，包括但不限定溴化钠、溴化钾、碘化钠、碘化钾、NR₄Br、NR₄I、氯化钠、氯化钾、NR₄Cl的一种或几种，优选为溴化物。