[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和多孔低k介电层；

在所述多孔低k介电层中形成铜金属互连结构；

在所述铜金属互连结构的侧壁和底部沉积形成铜金属扩散阻挡层；

对所述半导体衬底实施后处理过程，以修复受到损伤的所述多孔低k介电层，并提升所述多孔低k介电层的机械强度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述后处理过程的实施步骤包括：将所述半导体衬底置于DEMS的氛围中，以修复形成所述铜金属互连结构时受到损伤的所述多孔低k介电层；对所述半导体衬底实施紫外光或红外线辐照处理，以使所述多孔低k介电层的介电常数回复到形成所述铜金属互连结构之前的数值；对所述半导体衬底实施氩等离子体轰击处理，以提升所述多孔低k介电层的机械强度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述DEMS的流量为100-5000sccm，温度为100-500℃。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述紫外光辐照的功率大于100W、波长为150-400nm，所述红外线辐照的功率为50-3000W、波长大于400nm。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氩等离子体轰击的功率为100-3000W，压力为0.1-10Torr，所述氩等离子体的流量为100-3000sccm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述铜金属互连结构的步骤包括：在所述多孔低k介电层上形成自下而上层叠的缓冲层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层中形成用作所述铜金属互连结构中的沟槽的图案的第一开口，以露出所述缓冲层；在所述缓冲层和所述多孔低k介电层中形成用作所述铜金属互连结构中的通孔的图案的第二开口；以所述硬掩膜层为掩膜，同步蚀刻所述缓冲层和所述多孔低k介电层，以在所述多孔低k介电层中形成所述铜金属互连结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述蚀刻结束之后，还包括去除通过所述铜金属互连结构露出的蚀刻停止层以及实施蚀刻后处理的步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述后处理过程之后，还包括在所述铜金属互连结构中填充铜金属互连层的步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，实施所述填充之前，还包括在所述铜金属扩散阻挡层上形成铜金属种子层的步骤。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，实施所述填充之后，还包括执行化学机械研磨直至露出所述多孔低k介电层的步骤。