[发明专利]钬掺杂氯锗酸盐的上转换荧光粉及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种荧光粉领域，尤其涉及一种钬掺杂氯锗酸盐的上转换荧光粉及其制备方法。

背景技术

OLED的全称Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管。它有很多的优势，其组件结构简单，生产成本便宜，自发光的特性，加上OLED的反应时间短，更有可弯曲的特性，让它的应用范围极广。但由于目前得到稳定高效的OLED蓝光材料比较困难，极大的限制了白光OLED器件及光源行业的发展。

上转换荧光材料能够在长波（如红外）辐射激发下发射出可见光，甚至紫外光，在光纤通讯技术、纤维放大器、三维立体显示、生物分子荧光标识、红外辐射探测等领域具有广泛的应用前景。但制备成荧光粉应用于OLED的领域，仍鲜见报道。

发明内容

基于上述问题，发明所要解决的问题在于提供一种化学通式为R₂GeCl₆：xHo³⁺的钬掺杂氯锗酸盐的上转换荧光粉。

本发明的技术方案如下：

本发明提供的钬掺杂氯锗酸盐的上转换荧光粉，其化学通式为R₂GeCl₆：xHo³⁺，该上转换荧光粉采用如下步骤制得：

（1）、按化学通式为R₂GeCl₆：xHo³⁺中的化学元素计量比，称取R₂O，GeO和Ho₂O₃粉体溶于0.01～0.5mol/L的盐酸或高氯酸中，形成混合溶液；

（2）、向步骤（1）的混合溶液中同时滴加草酸和氨水，并不断搅拌，直到沉淀物不再产生，继续滴加氨水，调节溶液中的PH至8左右，静置1～5小时，使沉淀完全；其中，草酸作为沉淀剂；氨水起平衡反应液中的PH值作用，不引入其他阳离子；

（3）、过滤步骤（2）中的沉淀物，并用乙醇和蒸馏水反复洗涤后得到样品；

（4）、将步骤（3）洗涤后得到的样品置于900～1400℃下焙烧0.5～3小时后，得到化学通式为R₂GeCl₆：xHo³⁺的所述钬掺杂氯锗酸盐的上转换荧光粉；其中，R₂GeCl₆：xHo³⁺中的x取值为0.01～0.08。

作为优选实施例，步骤（2）中，静置时间为2小时。

作为优选实施例，步骤（4）中，对样品的焙烧温度为1200℃，焙烧时间为2小时。

作为优选实施例，步骤（4）中，R₂GeCl₆：xHo³⁺中的x取值为0.05。

本发明还提供上述钬掺杂氯锗酸盐的上转换荧光粉的制备方法，包括如下步骤制得：

（1）、按化学通式为R₂GeCl₆：xHo³⁺中的化学元素计量比，称取R₂O，GeO和Ho₂O₃粉体溶于0.01～0.5mol/L的盐酸或高氯酸中，形成混合溶液；

（2）、向步骤（1）的混合溶液中同时滴加草酸和氨水，并不断搅拌，直到沉淀物不再产生，继续滴加氨水，调节溶液中的PH至8左右，静置1～5小时，使沉淀完全；

（3）、过滤步骤（2）中的沉淀物，并用乙醇和蒸馏水反复洗涤后得到样品；

（4）、将步骤（3）洗涤后得到的样品置于900～1400℃下焙烧0.5～3小时，得到化学通式为R₂GeCl₆：xHo³⁺的所述钬掺杂氯锗酸盐的上转换荧光粉；其中，R₂GeCl₆：xHo³⁺中的x取值为0.01～0.08。