[发明专利]一种应用于磁共振成像的射频线圈装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种射频线圈装置，尤其是涉及一种应用于磁共振系统的射频线圈装置。

背景技术

在现代的医疗技术中，磁共振成像系统已经是一种常用的医疗设备。射频线圈作为磁共振成像系统不可或缺的一部分，其性能对磁共振成像系统的性能影响很大。

射频线圈装置主要有正交平板型、直条导线型两种结构。中国公开号CN101190127A，名称为“一种平板结构的射频线圈”的专利文件公开了一种正交平板型射频线圈。中国公开号CN1281183C，名称为“一种应用于磁共振成像系统的射频线圈装置和制作方法”的专利文件公开了一种直条导线型的射频线圈。

现有技术中的这两种射频线圈的结构都比较复杂，并且转换效率不够高。为保证线圈的性能及开放性，现有射频线圈在使用时一般都会靠近梯度线圈，在实际成像时，梯度线圈会产生比较多的热量，这些热量会传导到射频线圈上，射频线圈的铜皮会发生热胀冷缩，这样相当于线圈的电感发生了变化，会造成射频线圈的谐振频率变化。

发明内容

本发明所解决的技术问题是提供一种应用于磁共振成像的射频线圈装置，能够提高射频线圈单元的转换效率，而且不会受到梯度盘上梯度线圈的影响。

技术方案如下：

一种应用于磁共振成像的射频线圈装置，包括功率分配器、上磁体和下磁体，还包括两个纵向排列的射频线圈单元、上射频屏蔽层和下射频屏蔽层，所述射频线圈单元与所述功率分配器相连接；所述上射频屏蔽层和所述下射频屏蔽层分别位于所述射频线圈单元的上下两侧，所述上射频屏蔽层和所述下射频屏蔽层的平面互相平行，并且分别安装在上磁体和下磁体上；所述射频线圈单元、上射频屏蔽层和下射频屏蔽层为中心对称形状。

进一步：所述两个射频线圈单元的几何中心同所述上磁体和下磁体的主磁场中心在一条直线上。

进一步：上梯度盘和下梯度盘分别嵌入到所述上磁体和下磁体中，所述上梯度盘的下表面和所述下梯度盘的上表面分别与上磁体和下磁体外围高度一致，所述上射频屏蔽层和所述下射频屏蔽层分别与所述上梯度盘和所述下梯度盘直接接触。

进一步：所述上射频屏蔽层和下射频屏蔽层在四个角部位置开有尺寸相同的缺口，所述缺口在X方向尺寸范围为200～400mm，Y方向的尺寸范围为150～300mm。

进一步：所述上射频屏蔽层和下射频屏蔽层的材料采用双面覆铜板或者铜板，其厚度范围为0.1～2mm，其平面尺寸以不超过所述上磁体和下磁体的直径。

进一步：所述射频线圈单元的结构包括：外壳、线圈和金属箔；非金属材料的所述外壳的形状为中心对称形状，与所述线圈的形状相适应；所述外壳的边框中间设置有内槽，外部缠绕有所述金属箔的所述线圈布置在所述内槽中。

进一步：所述金属箔的圈数为1～8圈，所述线圈为绕制方向相同的1～8圈的线圈，相邻线圈之间用电容来进行耦合，每圈线圈串联有电容。

进一步：所述金属箔采用铜箔。

与现有技术相比，本发明技术效果包括：

1、本发明中，射频线圈单元纵向排列，能够提高射频线圈单元的转换效率，而且不会受到梯度盘上梯度线圈的影响。

2、本发明中，由射频屏蔽层产生对称的射频环境，具有以下优势：（1）由射频屏蔽层产生对称的射频环境，梯度线圈由于同射频线圈单元之间没有热量传递，射频线圈单元谐振频率不会发生偏移；（2）转换效率高，只需要很低的射频功率即可满足成像要求。

附图说明

图1是本发明中射频线圈装置的结构示意图；

图2是本发明中射频屏蔽层的结构示意图；

图3是本发明中射频线圈单元中线圈的绕制及连接示意图；

图4是本发明中射频线圈单元的剖面图。

具体实施方式

下面参考附图和优选实施例，对本发明技术方案作详细说明。

如图1所示，是本发明中射频线圈装置的结构示意图。

射频线圈装置的结构包括：两个射频线圈单元1和两个射频屏蔽层（上射频屏蔽层2和下射频屏蔽层3），两个射频线圈单元1纵向排列，上射频屏蔽层2和下射频屏蔽层3分别位于射频线圈单元1的上下两侧，并且上射频屏蔽层2和下射频屏蔽层3的平面互相平行，上射频屏蔽层2和下射频屏蔽层3的结构相同。

射频线圈单元1中心对称形状，射频线圈单元1与磁共振成像系统的功率分配器连接。两个射频线圈单元1的平面互相平行，可同时移动，并且射频线圈单元1的中心正对磁体中心，两个射频线圈单元1的几何中心同磁体的主磁场中心基本在一条直线上。