[发明专利]像素结构及具有该像素结构的液晶显示面板无效
申请号: | 201310733538.9 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103728801A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 郑华;郭晋波 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1335 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 具有 液晶显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及平面显示领域,尤其涉及一种能够消除垂直串扰的像素结构及具有该像素结构的液晶显示面板。
背景技术
液晶显示装置(LCD,Liquid Crystal Display)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置,其包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(backlight module)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,通过通电与否来控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线折射出来,并通过设置于玻璃基板上的像素结构产生彩色画面。
由于液晶面板的下板(Array板)和上板(CF板)是依靠四边的框胶固定在一起,因此在显示区容易出现相对位移(Shift)。当这种相对位移造成上板的黑色矩阵(BM)不能有效遮住下板的数据线(Data Line)周边的漏光区时,就会发生“亮画面垂直方向上的黑画面出现漏光”的显示不良,通常我们称之为垂直串扰(V-Crosstalk)。
液晶面板的下板和上板偏移导致的垂直串扰原理请参阅图1至图5所示,其中,图1为现有的一种五道光罩(5Mask)制程得到的像素结构的示意图,当数据线100上的信号一直为低偏压(如图2所示)时,其两侧就不会发生液晶偏转(如图3所示),也就不会形成漏光区;当数据线100上的信号有时为高偏压有时为低偏压(如图4所示)时,那么在数据线100上的信号为高偏压期间整根数据线100两侧都会发生液晶偏转,从而形成漏光区(如图5所示)。
理想情况下,为实现像素的开口率最大化,设计者们都希望黑色矩阵200恰好遮到像素电极(ITO)300的开口区边缘即可(如图6所示)。但为了防止垂直串扰,通常的做法是加宽黑色矩阵200,使黑色矩阵200向开口区内多遮一段距离X1(如图7所示)。X1的值取决于上下板位移的程度,而位移的程度取决于面板的具体情况,一般在0~30um之间,位移的值越大,垂直串扰发生的几率越低。通常X1取值在2um~20um,X1值越大,开口率损失得越多。然而,对于通常的像素结构而言(如图8所示),由于开口区400左右都有数据线100,每个像素开口区400面积的损失值等于2X1*H1(H1为开口区400有效高度),造成开口率损失较大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种像素结构,其在有效避免垂直串扰的前提下能有效提高开口率。
本发明的另一目的在于提供一种液晶显示面板,其开口率高,显示效果较好。
为实现上述目的,本发明提供一种像素结构,包括:多个子像素单元、分别为所述子像素单元提供数据信号的多条数据线、及对应所述数据线及子像素单元设置的黑色矩阵,所述多个子像素单元排成数列,且按顺序将相邻两列子像素单元定义为一对子像素单元列,每对子像素单元列呈镜像对称,所述数据线分别设置于每对子像素单元列之间,所述黑色矩阵包括位于数据线上方的第一部分、位于两相邻的第一部分之间的第二部分及与所述第一部分、第二部分两端垂直相连的第三部分,所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。
每相邻的两对子像素单元列的同一行子像素单元包括依次相邻设置的第一子像素单元、第二子像素单元、第三子像素单元及第四子像素单元,其中,所述数据线包括为所述第一子像素单元提供数据信号的第一数据线、为所述第二子像素单元提供数据信号的第二数据线、为所述第三子像素单元提供数据信号的第三数据线及为所述第四子像素单元提供数据信号的第四数据线,所述第一数据线位于该第一子像素单元靠近第二子像素单元的一侧,所述第二数据线位于该第二子像素单元靠近第一子像素单元的一侧,所述第三数据线位于该第三子像素单元远离第二子像素单元的一侧,所述第四数据线位于该第四子像素单元靠近第三子像素单元的一侧。
所述黑色矩阵的第一部分位于第一、第二子像素单元的上方,且部分覆盖该第一、第二子像素单元;所述第二部分位于所述第二、第三子像素单元之间的上方,其宽度等于第二子像素单元与第三子像素单元之间的间距。
所述第一部分覆盖第一子像素单元的宽度与覆盖第二子像素单元的宽度相等。
所述第一部分覆盖第一子像素单元的宽度与覆盖第二子像素单元的宽度均为2um~20um。
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