[发明专利]一种高效选择性发射极太阳电池激光掺杂方法

权利要求书

1.一种高效选择性发射极太阳电池激光掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将晶体硅片清洗并织构化，采用热扩散工艺对硅片进行初步杂质扩散，使得晶体硅片表面形成一预涂层；

（2）将晶体硅片送至掩膜板正下方，使晶体硅片的几何中心与掩膜板的几何中心重合，掩膜板的漏光缝隙与晶体硅片上的电极细栅重合；

所述掩膜板包括一框架，以及平行固定在框架内的若干个三棱柱体，所述三棱柱体的底面为等腰三角形，每个三棱柱体的侧表面均为聚光面，所述聚光面上镀有一层反射膜；

或者所述掩膜板包括一框架，以及平行固定在框架内的若干个类三棱柱体，所述类三棱柱体由一曲线三角形沿着垂直于其所在平面的直线运动而形成，所述曲线三角形是指两边为弧线、一边为直线的轴对称三边形；每个类三棱柱体的侧表面均为聚光面，所述聚光面上镀有一层反射膜；

（3）使用条形均匀激光束进行激光扫描掺杂。

2.根据权利要求1所述的高效选择性发射极太阳电池激光掺杂方法，其特征在于，步骤（3）具体包括：使用条形均匀激光束在掩膜板上方扫描，激光束入射到掩膜板的聚光面，经聚光面多次反射后作用于晶体硅片表面，使得预涂层的杂质原子扩散到硅基材表面；当激光束移开后，硅基材冷却并结晶，完成重掺杂，形成选择性发射极结构。