[发明专利]一种晶体硅表面的钝化层的制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅表面的钝化层的制备方法，包括p型硅片的背场钝化层与n型硅

片的p型前发射极表面钝化层，其特征是：所述的钝化层是AIN薄膜。

2.    根据权利要求l所述的晶体硅表面的钝化层的制备方法，其特征是：

包括如下步骤：

    步骤I：按照晶体硅太阳能电池的工艺在p型硅片或n型硅片扩散制备PN结；

    步骤2：采用磁控溅射技术，以Al作为靶材，NHo作为反应气源，Ar气作为等离子体增

强气，在经步骤l处理的晶体硅衬底的p型硅表面沉积AIN薄膜作为钝化层；或者

    采用等离子增强化学气相沉积技术，以三甲基铝作为Al源，NHo作为氮化源，氮气或者

氩气作为Al源的载气，在步骤l得到的p型硅表面沉积AIN薄膜钝化层；

    步骤3：将步骤2处理后的p型硅片或n型硅片进行热处理，以激活钝化层的钝化效果。