[发明专利]一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法

权利要求书

1.一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，其特征在于，该方法包括：

清洗n型半导体单晶锗片；

利用含硫的钝化液对该n型半导体单晶锗片的表面进行钝化；以及

在该钝化后的n型半导体单晶锗片表面沉积金属作为源漏接触。

2.根据权利要求1所述的制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，其特征在于，所述n型半导体单晶锗片是通过原位掺杂、扩散或离子注入方式形成的n型半导体单晶锗片。

3.根据权利要求2所述的制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，其特征在于，所述原位掺杂、扩散或离子注入方式中采用的离子为P、As、Sb、S或Se。

4.根据权利要求1所述的制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，其特征在于，所述n型半导体单晶锗片为体锗材料、锗覆绝缘衬底材料、硅基锗材料或III-V族化合物基锗材料。

5.根据权利要求1所述的制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，其特征在于，所述n型半导体单晶锗片为晶面为(100)、(110)或(111)的n型半导体单晶锗片。

6.根据权利要求1所述的制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，其特征在于，所述清洗n型半导体单晶锗片，包括：

采用MOS级纯度的丙酮和乙醇先后清洗5-10分钟，分别加以功率为15W的水浴超声，经去离子水清洗1分钟后用氮气吹干，然后用体积比为1：20的HF溶液浸泡1—3分钟，再用去离子水清洗1分钟，HF溶液浸泡和去离子水清洗重复3—5次，并用氮气吹干。

7.根据权利要求1所述的制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，其特征在于，所述含硫的钝化液，其采用的硫源为(NH₄)₂S、(NH₄)₂S_x、Na₂S或H₂S中一种或多种。

8.根据权利要求1所述的制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，其特征在于，所述在钝化后的n型半导体单晶锗片表面沉积金属，采用的沉积方法为电子束蒸发或溅射，沉积的金属为低功函数金属。

9.根据权利要求8所述的制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，其特征在于，所述低功函数金属为Al。

10.根据权利要求1所述的制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，其特征在于，所述源漏接触，在金属与半导体材料之间具有一钝化层，能够应用于各种平面型、FinFET或无结结构器件的源漏接触。