[发明专利]用于检测绝缘环的检测装置及等离子体加工设备在审
申请号: | 201310738716.7 | 申请日: | 2013-12-29 |
公开(公告)号: | CN104752250A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 赵可可;李杨超;佘清 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;C23C14/22 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检测 绝缘 装置 等离子体 加工 设备 | ||
1.一种用于检测绝缘环的检测装置,其特征在于,包括检测单元和与之电连接的检测电路,其中,所述检测单元采用导电材料制成,其设置在所述绝缘环的上表面上,所述检测单元与所述检测电路形成闭合回路,用以通过检测所述闭合回路中的电流值和/或电压值相对闭合回路中的原电流值和/或原电压值是否发生突变来检测所述绝缘环状态,以避免绝缘环的上表面上沉积金属凸起。
2.根据权利要求1所述的用于检测绝缘环的检测装置,其特征在于,所述检测单元包括一个沿所述绝缘环周向设置的闭合线圈,且所述闭合线圈的任意位置处与所述检测电路电连接,并且
在所述绝缘环的上表面上,且沿所述绝缘环的周向设置有闭合凹道,所述闭合线圈位于所述闭合凹道内。
3.根据权利要求1所述的用于检测绝缘环的检测装置,其特征在于,所述检测单元包括多个子线圈,多个所述子线圈沿所述绝缘环的周向间隔设置,且每个所述子线圈均与所述检测电路电连接;并且
在所述绝缘环的上表面上设置有数量和位置与所述子线圈一一对应的子凹道,每个所述子线圈位于所述子凹道内。
4.根据权利要求1所述的用于检测绝缘环的检测装置,其特征在于,所述检测单元为在所述绝缘环上表面上沉积的薄膜,所述薄膜的任意位置处与所述检测电路电连接。
5.根据权利要求2、3或4任意一项所述的用于检测绝缘环的检测装置,其特征在于,所述检测单元设置在所述绝缘环的靠近其环孔的上表面上,且与所述绝缘环的内周璧在径向上存在水平间距。
6.根据权利要求5所述的用于检测绝缘环的检测装置,其特征在于,所述水平间距的范围在2~5mm。
7.根据权利要求2所述的用于检测绝缘环的检测装置,其特征在于,所述闭合凹道的深度和宽度与所述闭合线圈的直径相等。
8.根据权利要求7所述的用于检测绝缘环的检测装置,其特征在于,所述闭合线圈的直径范围在0.5~1mm。
9.根据权利要求1所述的用于检测绝缘环的检测装置,其特征在于,所述导电材料包括铜和铝。
10.一种等离子体加工设备,包括反应腔室和检测装置,所述检测装置用于检测绝缘环,所述绝缘环位于所述反应腔室内,其特征在于,所述检测装置采用权利要求1-9任意一项所述的用于检测绝缘环的检测装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造