[发明专利]纳米硅硼浆及其应用于制备全屏蔽硼背场的工艺

权利要求书

1.一种纳米硅硼浆，其特征在于，按重量配比，含有10～50份纳米硅粉、0.2～10份硼或氧化硼、50～100份溶剂、0～20份添加剂，纳米硅的粒径为10～200纳米。

2.根据权利要求1所述的纳米硅硼浆，其特征在于，所述溶剂为松油醇、或檀香或二者混合物，所述混合物配比为0～80份松油醇和20～100份檀香；所述添加剂为乙基纤维素。

3.如权利要求1或2任一项所述的纳米硅硼浆应用于制备晶硅硼背场的工艺，包括如下步骤：1、硅片清洗植绒；2、POCl₃扩散；3、清洗磷硅玻璃；4、沉积钝化/减反射膜；5、印刷、烘干背面金属电极；6、烧结金属电极；其特征在于，在所述步骤1之后、步骤2之前，在硅片背面印刷所述纳米硅硼浆，印刷时所述纳米硅硼浆全覆盖在硅片背面或者局部覆盖在硅片背面；并进行硼扩散制备硼背场；扩散在工业管式扩散炉内进行，温度为900～1050℃，扩散时间为1～2小时；步骤2中的POCl3扩散按通常工艺进行；扩散完成后，硅片正面磷浓度为1x10¹⁹～1x10²¹atm/cc，深度为0.1～1.5um；硅片背面硼的浓度为1x10¹⁹～5x10²¹atm/cc，深度为1～6um。

4.如权利要求1或2任一项所述的纳米硅硼浆应用于制备晶硅硼背场的工艺，包括如下步骤：1、硅片清洗、植绒；2、POCl₃扩散；3、清洗磷硅玻璃；4、沉积钝化/减反射膜；5、印刷、烘干背面金属电极；6、烧结金属电极；其特征在于，在所述步骤1之后、步骤2之前，在硅片背面印刷所述纳米硅硼浆，采用全覆盖在硅片背面或者局部覆盖，烘干后，按照步骤2进行POCl₃扩散的同时进行硼扩散制备硼背场。

5.如权利要求1或2任一项所述的纳米硅硼浆应用于制备晶硅硼背场的工艺，包括如下步骤：1、硅片清洗、植绒；2、POCl₃扩散；3、清洗磷硅玻璃；4、沉积钝化/减反射膜；5、印刷、烘干背面金属电极；6、烧结金属电极；其特征在于，在所述步骤4之后、步骤5之前，在硅片背面印刷所述纳米硅硼浆，印刷时所述纳米硅硼浆全覆盖在硅片背面或者局部覆盖在硅片背面。

6.根据权利要求3或4或5所述纳米硅硼浆制备硼背场的工艺，其特征在于，完成印刷所述纳米硅硼浆后，在空气或氮气中烘干，烘干温度为150～350℃，烘干时间为3～10分钟，烘干后纳米硅硼浆厚度为3.5～10um，烘干后，硼浆中的硅粒子自然堆积形成孔洞结构。

7.根据权利要求6所述纳米硅硼浆制备硼背场的工艺，其特征在于，通过所述硼扩散步骤处理后，硼浆中的硅粒与硅粒以及硅粒与硅片发生交联，形成一层致密结构牢牢地粘连在硅片基板上。

8.根据权利要求6所述纳米硅硼浆制备硼背场的工艺，其特征在于，通过所述步骤6烧结处理后，所述纳米硅硼浆中的硅粒在金属电极作用下发生交联并形成连续的硅网络结构；所述硅网络结构进一步致密化形成晶粒较大的晶体硅。