[发明专利]工艺流程建立的方法在审
申请号: | 201310739300.7 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN104752150A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 卞邦芬;许亮 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺流程 建立 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种工艺流程建立的方法。
背景技术
半导体芯片的制造是按照工艺流程的设定一步一步的执行,在执行完某一工艺步骤之后,才能执行下一步骤。一条完整的工艺流程的工艺步骤通常会大于800个。新的产品下货之前,必须将整条工艺流程一步一步的建立完成,之后才能用于生产。采用这样的方法建立新工艺流程就比较复杂,需要更多的时间,较易出现错误。
由于一条工艺流程中往往具有相同的工艺步骤,例如相同的薄膜沉积步骤,相同的刻蚀步骤,相同的研磨步骤等等。在对工艺流程中的某一工艺步骤进行修改时,例如对薄膜沉积步骤进行工艺参数的修改,就需要对一条工艺流程中所有相同的薄膜沉积步骤一一修改,一方面较为繁琐、耗时耗力,另外一方面容易出错,可操作性不强。
若对新的技术进行工艺流程的建立,新技术中工艺流程的一些工艺步骤很多也与现有的工艺流程中的一些工艺步骤相同,然而现有技术中对新工艺的工艺流程建立时,也是需要将所有的工艺步骤一一建立起,比较耗时耗力,易出错。
发明内容
本发明的目的在于提供一种工艺流程建立的方法,能够快速简单的建立起工艺流程,避免工艺流程建立出现差错。
为了实现上述目的,本发明提出了一种工艺流程建立的方法,包括步骤:
建立流程模块,将具有相同制程和功能的工艺步骤划分至同一流程模块中;
对流程模块进行调用,建立工艺流程。
进一步的,所述方法还包括对流程模块进行分类,将流程模块分为成熟模块和非成熟模块。
进一步的,所述成熟模块能直接调用,所述非成熟模块需按照工艺步骤分步处理。
进一步的,所述非成熟模块经实验论证后可转化为成熟模块。
进一步的,所述流程模块采用预定的命名规则。
进一步的,所述命名规则为特征尺寸+技术名称+工艺步骤+器件功能。
与现有技术相比,本发明的有益效果主要体现在:将具有相同制程和功能的工艺步骤划分至同一流程模块中,在对工艺流程建立时,相同的工艺步骤便可通过调用某一流程模块即可,无需按照工艺步骤一一形成,若对某一工艺步骤进行修改时,只需对相应的工艺模块进行修改即可完成对所有相同的工艺步骤的修改,从而能够快速简单的建立起工艺流程,避免工艺流程建立出现差错。
附图说明
图1为本发明一实施例中工艺流程建立的方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的工艺流程建立的方法进行更详细的描述,其中表示了本发明的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明,而仍然实现本发明的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本发明的限制。
为了清楚,不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中,不详细描述公知的功能和结构,因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中,必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标,例如按照有关系统或有关商业的限制,由一个实施例改变为另一个实施例。另外,应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的,但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
请参考图1,在本实施例中,提出了、一种工艺流程建立的方法,包括步骤:
S100:建立流程模块,将具有相同制程和功能的工艺步骤划分至同一流程模块中;
S200:对流程模块进行调用,建立工艺流程。
在本实施例中,可以按照不同的技术名称(TECH)把相同的制程和功能的工艺步骤划分为同一流程模块中,以多晶硅(Poly)工艺步骤为例,根据生产线上形成Poly的种类不同,可以得到Poly模块1、Poly模块2、Poly模块3等等,在后续工艺需要形成Poly时,针对不同的技术名称和特征尺寸调用不同的Poly模块即可,其余工艺步骤的调用和Poly模块的用法一致。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造