[发明专利]介电组合物、及包括其作为介电层的多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种包含由以下化学式A_5-xB₁₀O_30-x表示的化合物作为主要成分的介电组合物，

其中，A必要地包括Ba，并且一部分Ba由选自Sr和Ca中的至少一种取代；

B必要地包括Nb，并且一部分Nb由选自Ta和V中的至少一种取代；并且

x满足以下方程式：1<x<5。

2.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，在其中所述一部分Ba由选自Sr和Ca中的至少一种取代的情况下，Sr或Ca取代满足以下范围：0≤y<1，其中y是由Sr或Ca取代Ba的部分。

3.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，在其中所述一部分Nb由Ta取代的情况下，Ta取代满足以下范围：0≤z<1，其中z是由Ta取代Nb的部分。

4.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，在其中所述一部分Nb由V取代的情况下，V取代满足0.2以下的范围。

5.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，在1KHz至10,000KHz的频率之间，介电常数是80至310并且介电损失是0.004至0.071；并且在1MHz至100MHz的频率之间，介电常数是75至300并且介电损失是0.001至0.007。

6.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，满足由EIA标准定义的Y5V或X5R特性。

7.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，基于所述总介电组合物，以30wt%至100wt%的量包含所述由以下化学式A_5-xB₁₀O_30-x表示的化合物，其中A必要地包括Ba，并且一部分Ba由选自Sr和Ca中的至少一种取代；B必要地包括Nb，并且一部分Nb由选自Ta和V中的至少一种取代；并且x满足以下方程式：1<x<5。

8.根据权利要求1所述的介电组合物，其中，以1100℃至1300℃的温度范围烧结所述介电组合物。

9.根据权利要求1所述的介电组合物，进一步包含选自玻璃料、V₂O₅、CuO、B₂O₃和BiVO₃中的至少一种作为低温烧结剂。

10.根据权利要求9所述的介电组合物，其中，基于所述总介电组合物，以1wt%至10wt%的量包含所述低温烧结剂。

11.根据权利要求9所述的介电组合物，其中，所述低温烧结剂包含选自ZnO-B₂O₃-SiO₂、Li₂O-B₂O₃-SiO₂和CaO-B₂O₃-SiO₂中的至少一种作为主要成分。

12.根据权利要求9所述的介电组合物，其中，所述低温烧结剂进一步包含选自Al₂O₃、Na₂O、K₂O和P₂O₅中的至少一种。

13.根据权利要求9所述的介电组合物，其中，以1000℃至1100℃的温度烧结所述介电组合物。

14.一种通过使内部电极和介电层多层化制备的多层陶瓷电容器，

其中，所述介电层使用包含由以下化学式A_5-xB₁₀O_30-x表示的化合物作为主要成分的介电组合物，其中A必要地包括Ba，并且一部分Ba由选自Sr和Ca中的至少一种取代；B必要地包括Nb，并且一部分Nb由选自Ta和V中的至少一种取代；并且x满足以下方程式：1<x<5。

15.根据权利要求14所述的多层陶瓷电容器，其中，所述内部电极是镍或镍合金。

16.根据权利要求14所述的多层陶瓷电容器，其中，共烧结所述介电层和所述内部电极。