[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

随着TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）显示技术的不断发展，各种新型半导体元件及其在显示装置中的应用技术也随之得到了飞跃性的进步。

在现有的显示面板TFT的制造过程当中，越来越多的厂商开始尝试采用氧化物TFT取代a-Si（非晶硅）TFT或LTPS（低温多晶硅）TFT，以期获得具有更高质量的显示产品。氧化物TFT（即Oxide TFT）背板技术，是与传统的a-Si TFT制程相近的一种背板技术，该技术将原本应用于a-Si TFT的硅半导体材料部分置换成氧化物半导体材料，如现在应用最为广泛的IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)材料，来形成TFT的半导体有源层。现有技术中一种典型的氧化物TFT的阵列基板结构如图1所示，包括依次形成在透明基板10表面的TFT的栅极11、栅绝缘层12以及由IGZO形成的氧化物半导体有源层13，半导体有源层13的表面通过构图工艺形成有具有过孔的刻蚀阻挡层14，过孔A、B分别贯穿刻蚀阻挡层14,以暴露出底部的半导体有源层13，TFT的源极151和漏极152分别通过过孔A、B与半导体有源层13导通。

采用氧化物TFT相对于a-Si TFT具有制备温度要求低，迁移率高等优势，该技术可应用于高频显示和高分辨率显示产品，且相对于LTPS TFT技术具有设备投资成本低、运营保障成本低等优点。但其不足之处在于，在如图1所示的氧化物TFT阵列基板中，TFT的源极151和漏极152分别与栅极11具有较长的一段交叠区域，这样一来，在通电的情况下，由于层级差异TFT的源极151与栅极11之间将产生寄生电容Cgs，同理TFT的漏极152与栅极11之间也将产生寄生电容Cgd，在栅线11通过电压控制TFT开关的瞬间，由于寄生电容的存在，TFT关闭时栅线11上的电压信号由高到低的变化会使得漏极152相应输出跳变电压，从而引起像素中液晶电压的突然降低，这将严重影响像素电极电压的准确性，使得显示画面闪烁。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，可以降低TFT的源、漏电极与栅极之间的寄生电容，提高显示装置的质量。

本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括：依次形成在透明基板表面的TFT的栅极以及栅绝缘层，在所述栅绝缘层对应所述TFT的栅极区域的表面依次形成有半导体有源层的图案、刻蚀阻挡层的图案以及所述TFT的源极和漏极，所述TFT的源极和漏极分别通过过孔与所述半导体有源层的图案相接触；其中，还包括：

形成在所述TFT的栅极和所述栅绝缘层之间的第一绝缘层的图案，所述第一绝缘层的图案对应所述TFT的源极区域和/或所述TFT的漏极区域。

在对应所述TFT的沟道区域，所述栅极与所述栅绝缘层接触。

另一方面，本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置可以包括如上所述的阵列基板。

此外，本发明实施例还提供了一种阵列基板制造方法，所述方法具体包括：

在透明基板的表面形成TFT的栅极；

在形成有所述栅极的基板上形成第一绝缘层的图案，所述第一绝缘层的图案对应所述TFT的源极区域和/或所述TFT的漏极区域；

在形成有所述第一绝缘层的图案的基板的表面形成栅绝缘层，在对应所述TFT的沟道区域，所述栅极与所述栅绝缘层接触。

本发明实施例提供的这样一种阵列基板及其制造方法、显示装置，通过在TFT的栅极和栅绝缘层之间，对应TFT的源极区域和/或TFT的漏极区域形成具有一定厚度的第一绝缘层。这样一来，可以显著增加TFT的栅极与源漏极之间的间距，这样由于平行板电容两电极之间的间距增大，使得电容值明显降低，从而可以有效降低TFT的源极与栅极之间存在的寄生电容Cgs或降低TFT的漏极与栅极之间存在的寄生电容Cgd，进而避免由于寄生电容过大而产生的输出跳变电压不良，有效改善显示画面闪烁，提高显示装置的质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中一种阵列基板的结构示意图；