[发明专利]分布布拉格反射镜结构及制备方法和有机发光二极管结构在审
申请号: | 201310739950.1 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN103730601A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 侯文军;刘则;代青 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分布 布拉格 反射 结构 制备 方法 有机 发光二极管 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光器件领域,具体地,涉及一种分布布拉格反射镜结构、该分布布拉格反射镜结构的制备方法和包括所述分布布拉格反射镜结构的有机发光二极管。
背景技术
普通的有机发光二极管器件的出光效率仅为20%左右,为了提高有机发光二极管器件的出光率,通常在有机发光二极管的出光面上设置分布布拉格反射镜结构。
通常,分布布拉格反射镜结构包括交替设置的高折射率层和低折射率层,低折射率层通常由不吸收可见光的SiO2/SiNx制成,高折射率层通常由不吸收可见光的SiO2/TiO2制成。但是,高折射率层和低折射率层均为无机物,需要通过复杂的溅射工艺在基底上形成高折射率层和低折射率层,工艺成本高。
此外,可以分别利用有机聚合物PVK和PAA制作高折射率层和低折射率层,但是PVK和PAA吸收可见光,只能应用于微腔发光二极管和激光。
因此,如何通过简单的工艺制作用于有机发光二极管的分布布拉格反射镜结构成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种分布布拉格反射镜结构、该分布布拉格反射镜结构的制备方法和包括所述分布布拉格反射镜结构的有机发光二极管。可以利用简单的工艺制作所述分布布拉格反射镜结构。
为了实现上述目的,作为本发明的一个方面,提供一种分布布拉格反射镜结构,所述分布布拉格反射镜结构包括沿所述分布布拉格反射镜结构的厚度方向交替设置的不吸收可见光的高折射率层和不吸收可见光的低折射率层,其中,所述低折射率层由有机聚合物制成,且所述低折射率层的折射率不大于1.5。
优选地,所述低折射率层为交联固化的聚甲基丙烯酸甲酯聚合物。
优选地,所述高折射率层包括基体和掺杂在所述基体中的无机纳米颗粒,所述无机纳米颗粒的折射率不小于2.0,所述基体由有机聚合物制成,所述高折射率层的折射率比所述低折射率层的折射率至少大0.1。
优选地,形成所述高折射率层中的基体的材料与形成所述低折射率层的材料相同。
优选地,所述无机纳米颗粒包括硅的氮化物、二氧化钛和五氧化二钽中的一种或几种。
作为本发明的另一个方面,提供一种有机发光二极管结构,该有机发光二极管结构包括有机发光二极管和设置在所述有机发光二极管的出光面的分布布拉格反射镜结构,其中,所述分布布拉格反射镜结构为本发明所提供的上述分布布拉格反射镜结构。
优选地,按照以下公式计算所述高折射率层的厚度:
d1=λ/4n1,其中,d1为所述高折射率层的厚度,λ为所述有机发光二极管发出的光线的波长,n1为高折射率层的折射率;
按照以下公式计算所述低折射率层的厚度:
d2=λ/4n2,其中,d2为所述低折射率层的厚度,λ为所述有机发光二极管发出的光线的波长,n2为低折射率层的折射率。
作为本发明的再一个方面,提供一种分布布拉格反射镜结构的制备方法,其中,所述制备方法包括交替地进行以下步骤,以形成沿所述分布布拉格反射镜结构的厚度方向上交替设置的低折射率层和高折射率层:
S1、利用有机聚合物制成不吸收可见光的低折射率层,所述低折射率层的折射率不大于1.5;
S2、形成不吸收可见光的高折射率层。
优选地,所述步骤S1包括:
S11、在基底上涂敷包括聚甲基丙烯酸甲酯聚合物的混合物;
S12、使包括所述聚甲基丙烯酸甲酯聚合物的混合物交联固化,形成所述低折射率层。
优选地,在所述步骤S12中对包括所述聚甲基丙烯酸甲酯聚合物的混合物加热,以使所述聚甲基丙烯酸甲酯聚合物的混合物交联固化。
优选地,所述步骤S2包括:
S21、向包括有机聚合物的混合物中掺杂无机纳米颗粒,所述无机纳米颗粒的折射率不小于2.0;
S22、将掺杂有无机纳米颗粒的包括有机聚合物的混合物涂敷在所述低折射率层上,并使掺杂有无机纳米颗粒的有机聚合物交联固化,以形成所述高折射率层,该高折射率层包括有机聚合物交联固化得到的基底和分布在所述基底中的无机纳米颗粒,切所述高折射率层的折射率比所述低折射率层的折射率至少大0.1。
优选地,所述步骤S22中的有机聚合物与制成所述低折射率层的有机聚合物相同。
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