[发明专利]一种单芯片微机电系统及其制备方法

权利要求书

1.一种单芯片微机电系统的制备方法，包括：

提供基底，所述基底中形成有压力传感器底部电极以及彼此隔离的加速度传感器第一电极和第二电极；

沉积牺牲材料层并图案化，以在所述压力传感器底部电极上形成压力传感器牺牲材料层，同时在所述加速度传感器第一电极和第二电极之间的基底上形成加速度传感器牺牲材料层；

沉积第一导电材料层并图案化，以分别覆盖所述压力传感器牺牲材料层和所述加速度传感器牺牲材料层；

蚀刻所述压力传感器牺牲材料层上方的第一导电材料层，以形成第一开口，露出所述压力传感器牺牲材料层；

去除所述压力传感器牺牲材料层，以形成压力传感器空腔；

在所述基底上沉积质量块材料层，以填充所述第一开口，并覆盖所述第一导电材料层；

图案化所述加速度传感器牺牲材料层上方的所述质量块材料层以及所述第一导电材料层，以形成第二开口，露出所述加速度传感器牺牲材料层；

在所述第二开口的侧壁上形成第二导电材料层；

去除所述加速度传感器牺牲材料层，以形成加速度传感器空腔；

图案化所述压力传感器空腔上方的所述质量块材料层，以形成压力传感器深槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲材料层选用光刻胶或者二氧化硅；

所述第一导电材料层选用铝、铜、钛和钨中的一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积牺牲材料层并图案化，以形成中间具有间隔的加速度传感器牺牲材料层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，沉积第一导电材料层，以填充所述加速度传感器牺牲材料层之间的间隔；

然后图案化所述第一导电材料层，以将所述压力传感器牺牲材料层上方的所述第一导电材料层和所述加速度传感器牺牲材料层上方的所述第一导电材料层断开。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二开口的侧壁上形成第二导电材料层的方法为：

沉积第二导电材料层，以在所述第二开口的侧壁以及底部沉积所述第二导电材料层；

去除所述第二开口的侧壁以外的所述第二导电材料层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，选用无光照干法蚀刻的方法去除所述第二开口的侧壁以外的所述第二导电材料层。

7.一种权利要求1至6之一所述方法制备得到的单芯片微机电系统，所述单芯片微机电系统中在一个芯片上同时包括压力传感器和加速度传感器。