[发明专利]一种晶体硅太阳能电池正极导电银浆及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201310740519.9 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN104751936A 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 谭伟华;姜占锋;秦世嵘 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: H01B1/16 分类号: H01B1/16;H01B1/22;H01B13/00;H01L31/0224
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 晶体 太阳能电池 正极 导电 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于晶体硅太阳能电池领域,尤其涉及一种一种晶体硅太阳能电池正极导电银浆及其制备方法。

背景技术

当前关于太阳能电池的研究非常活跃,太阳能电池有望成为未来电力供应的主要支柱,晶体硅太阳能电池是光伏市场上的主导产品,而导体浆料是制作晶体硅太阳能电池的主要辅助材料。这类浆料主要由导电金属粉、无机玻璃粉、有机载体等混合轧制而成。其种类主要有向光面银浆、背光面银浆、背场铝浆等。

目前对向光面银浆的研究方向有两个,一是如何在现有银浆的基础上,通过配方改进,提高单片电池的光电转换效率,另一个方面是在保证效率和性能的前提下,尽量采用贱金属替代银而降低浆料的成本,以增加太阳电池发电的竞争力。

公开号位CN102687205A的专利公开了一种导电浆料组合物,包含银颗粒、玻璃颗粒、有机载体、精细的导电金属颗粒和添加剂五氧化二钽,导电金属颗粒包括金和铂。当用于形成太阳能电池上的电接触时,这种浆料提供该接触对该电池的增强的粘结以及改进的电子传输。但是,浆料中的添加物在烧结过程中可能扩散入硅片形成杂质元素,从而对电池的效率有较大的影响。且金或铂族金属的价格昂贵,于降低浆料的成本不利。

公开号为CN102651247A的专利公开了一种新型太阳光伏电池正面电极用导电浆料,该导电浆料采用金属粘结相(采用高、低熔点金属混合粉)的前驱体体系来取代现有的低熔点玻璃粉,浆料在烧结后形成的固相物质全部为金属,所以形成的电极的导电性和可焊性大大提高。但是,太阳电池正面电极用浆料的无机玻璃粉,并不是简单地将导电金属粉之间、以及导电金属粉与硅衬底之间形成粘接,而更重要的是熔蚀减反射膜,使银微粒穿过减反射层与N+接触。因此,在本发明中,缺少了熔融腐蚀减反射膜的成分,减反射膜作为一个不导电层将N+层与导电浆料中的银层隔离,这样大大增加了电池的欧姆接触电阻,电池的光电性能可能会有很大的下降。

发明内容

本发明为解决现有的导电玻璃粉的导电性能差、电池光电转换效率低的技术问题,提供一种导电性能好、光电转换效率高的晶体硅太阳能电池正极导电银浆及其制备方法。

本发明提供了一种晶体硅太阳能电池正极导电银浆,以所述晶体硅太阳能电池正极导电银浆的总质量为基准,所述晶体硅太阳能电池正极导电银浆中含有85-90wt%的银粉,5.0-10wt%的有机载体,3.0-8.0wt%的无机粘结剂;所述无机粘结剂包括无机金属粉和玻璃态氧化物粉;所述玻璃态氧化物粉为PbO和/或Bi2O3所述无机金属粉出现相变的温度为150-550℃。

本发明还提供了一种晶体硅太阳能电池正极导电银浆的制备方法,将银粉和无机粘结剂分散于有机载体中,研磨后即得到所述晶体硅太阳能电池正极导电银浆。

本发明的晶体硅太阳能电池正极导电银浆,当银浆经过隧道炉时,因无机金属粉的熔点低,在玻璃态盐氧化物熔融之前,该无机金属粉逐渐软化。而减反射膜中的氮化硅膜在熔融的金属粉氛围下,并有玻璃态氧化物粉存在的条件下,一方面,硅氮键断裂,其中的硅与PbO或Bi2O3反应;另一方面,PbO或Bi2O3在破除氮化硅膜后,也可与硅衬底(N+型硅)中的硅的反应。PbO或Bi2O3被还原成金属Pb或Bi。而Si硅(不论是氮化硅膜中的硅还是硅衬底的硅)均被氧化成SiO2

反应机理为:

SixNy= xSi+ yN;

PbO +Si= SiO2 + Pb;

Bi2O3 +Si= SiO2 + Bi;

PbO或Bi2O3被还原成金属Pb或Bi,一方面作为填充物对银粉粒子之间空隙进行填充及粘连,另一方面和硅衬底(N+型硅)粘连并形成硅合金。并且,PbO或Bi2O3在被还原得到的金属时,金属原子在结晶形成微粒的初始阶段时,粒径处于纳米范畴,因此,其填充及粘接的效果,相比外添加的金属粉或合金粉,效果会更好。本发明的晶体硅太阳能电池正极导电银浆,无机金属粉同样作为粘接剂使用。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司,未经比亚迪股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310740519.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top