[发明专利]新型PIN结构的薄膜有机光探测器及其制备方法与应用

说明书

技术领域

本发明涉及一种新型PIN结构的薄膜有机光探测器及其制备方法与应用。

背景技术

目前，公知的光电导探测器结构是由两个水平电极以及中间的光敏感层组成。将光电导器件接成回路并加一个偏置电场，当入射光与探测器接触时，探测器内部的光敏感层产生电子空穴对，电子空穴对在电场的作用下分离并被电极收集形成光电流，通过光电流的强度来表征光的强度与大小可以用来进行光检测、图像成像或生物传感等方向。因此器件对光的敏感度相当重要，通常用两个重要的参数来表征这样的一种敏感度：响应度R和光电增益G。R表示产生的光电流与引入的光强度的一个比值，G表示的是器件每吸收一个光子器件内部流过的电荷。

这两个值可以用下面的公式表示：

G表示光电增益：

G=(μn+μp)τEL=τ(1tn+1tp)---(1)]]>

R表示响应度(AW^-1)：

R=EQEλqhcG=ILight-IDarkPill---(2)]]>

其他四个同样重要的参数可以用下面的公式表示：

P表示信噪比：

P=ILight-IDarkIDark---(3)]]>

D*表示灵敏度(以jones为单位)：

D*=RS2qIdark---(4)]]>

LDR表示线性动态范围(以dB为单位)：