[发明专利]一种非易失性存储器的编程方法

说明书

技术领域

本发明涉及非易失性存储器技术领域，具体涉及一种非易失性存储器的编程方法。

背景技术

非易失性存储器，又称为非挥发性存储器，简单地说，就是在断电情况下能够保持所存储的数据的存储器。随着非易失性存储器的相关技术的发展，非易失性存储器的应用越来越广泛。

非易失性存储器在擦除操作的过程中非正常停止，例如非易失性存储器所在芯片系统突然掉电、系统复位或者用户可以发送暂停指令来暂停擦除操作，这些原因都有可能造成擦除区域的单元过擦除，并且过擦除会对擦除区域所在的物理存储块（BLOCK）提供漏电流。如果对擦除区域所在的物理存储块进行编程操作，由于非易失性存储器的同一个物理存储块的单元的位线是贯通的，这样过擦除产生的漏电流会对编程过程产生影响，导致编程不成功或者发生编程错误。

现有技术中，在编程指令译码成功后，直接进行编程校验和编程操作，这样很可能会由于过擦除产生的漏电流导致编程不成功或编程错误，从而影响编程过程的正确性和稳定性。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种非易失性存储器的编程方法，解决了现有技术中由于过擦除产生的漏电流导致编程不成功或编程错误而影响编程过程的正确性和稳定性的技术问题。

本发明实施例提供了一种非易失性存储器的编程方法，包括：

对所述非易失性存储器的预编程区域的编程指令进行译码；

对所述预编程区域所在的物理存储块进行过擦除校验和过擦除修复操作；

对所述预编程区域进行编程校验和编程操作。

进一步地，对所述预编程区域所在的物理存储块进行过擦除校验和过擦除修复操作，具体为：

对所述物理存储块的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验，如果没有通过所述过擦除校验，则对所述修复单元进行过擦除修复操作并返回到对所述物理存储块的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验；

如果通过所述过擦除校验，则判断所述修复单元对应的修复地址是否是所述物理存储块的最后一个修复地址；

如果是所述最后一个修复地址，则结束对所述物理存储块的过擦除修复操作；

如果不是所述最后一个修复地址，则递增或者递减所述修复单元对应的修复地址并返回到对所述物理存储块的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验。

进一步地，所述过擦除校验的基准电压为0伏。

进一步地，所述过擦除校验的方法为将所述修复单元的阈值电压与所述过擦除校验的基准电压进行比较；

当所述修复单元的阈值电压大于所述过擦除校验的基准电压时，所述修复单元通过所述过擦除校验；

当所述修复单元的阈值电压小于所述过擦除校验的基准电压时，所述修复单元没有通过所述过擦除校验。

进一步地，对所述预编程区域进行编程校验和编程操作，具体为：

对所述预编程区域的预编程单元进行编程校验并判断是否通过所述编程校验，如果没有通过所述编程校验，则对所述预编程单元进行编程操作并返回到对所述预编程区域的预编程单元进行编程校验并判断是否通过所述编程校验；

如果通过所述编程校验，则判断所述预编程单元对应的编程地址是否是所述预编程区域的最后一个编程地址；

如果是所述最后一个编程地址，则结束对所述预编程区域的编程操作；

如果不是所述最后一个编程地址，则递增或者递减所述预编程单元对应的编程地址并返回到对所述预编程区域的预编程单元进行编程校验并判断是否通过所述编程校验。

进一步地，所述编程校验的基准电压为编程单元的阈值电压。

进一步地，所述编程校验的方法为将所述预编程区域的预编程单元的阈值电压与所述编程校验的基准电压进行比较；

当所述预编程区域的预编程单元的阈值电压大于所述编程校验的基准电压时，所述预编程单元通过所述编程校验；

当所述预编程区域的预编程单元的阈值电压小于所述编程校验的基准电压时，所述预编程单元没有通过所述编程校验。

本发明实施例提出的非易失性存储器的编程方法，通过在预编程区域的编程指令成功译码后，加入对预编程区域所在的物理存储块的过擦除校验和过擦除修复操作，并且在对物理存储块的过擦除修复操作结束后再对预编程区域进行编程校验和编程操作，这样能够消除由于过擦除产生的漏电流对编程过程的影响，从而保证了编程过程的正确性和稳定性。

附图说明