[发明专利]等离子体处理容器和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种FPD用基板用的等离子体处理容器，其形成对被处理体进行等离子体处理的处理室，所述等离子体处理容器的特征在于，包括：

主体容器；和

组合于所述主体容器的上部容器，

在所述主体容器和所述上部容器之间设置有真空密封部件、隔热部件和电磁波屏蔽部件，所述主体容器和所述上部容器之间存在间隔，

所述隔热部件由在所述主体容器的上端面遍及整周地形成的隔热部件用槽内相邻排列的多个隔热板构成，相邻的所述隔热板的间隔在1mm以上3mm以下的范围内。

2.如权利要求1所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

从所述处理室的内侧向外侧去，依次配置有所述真空密封部件、所述电磁波屏蔽部件和所述隔热部件。

3.如权利要求1所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

从所述处理室的内侧向外侧去，依次配置有所述真空密封部件、所述隔热部件和所述电磁波屏蔽部件。

4.如权利要求1～3中任一项所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板由玻璃化转变温度(Tg)超过125℃的材质的合成树脂构成。

5.如权利要求4所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板的厚度方向的热传导率为1W/mK以下。

6.如权利要求4所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述合成树脂为选自聚醚醚酮(PEEK)树脂、聚苯硫醚(PPS)、全芳香族聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺(PEI)和MC尼龙中的一种以上。

7.如权利要求4所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板的厚度在0.5mm以上、20mm以下的范围内。

8.如权利要求1～3中任一项所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板由陶瓷构成。

9.如权利要求8所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板的厚度方向的热传导率为40W/mK以下。

10.如权利要求8所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板的厚度在5mm以上、20mm以下的范围内。

11.如权利要求1～3中任一项所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

利用所述隔热板，在所述主体容器和所述上部容器之间设置有0.1mm以上、2mm以下的范围内的间隙。

12.如权利要求1～3中任一项所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

所述隔热板配置于设置在所述主体容器的凹部内。

13.如权利要求1～3中任一项所述的FPD用基板用的等离子体处理容器，其特征在于：

在所述主体容器和所述上部容器分别具有温度调节装置。

14.一种FPD用基板用的等离子体处理装置，其特征在于：

具备权利要求1～13中任一项所述的FPD用基板用的等离子体处理容器。

15.如权利要求14所述的FPD用基板用的等离子体处理装置，其特征在于：

所述等离子体处理装置为电感耦合等离子体处理装置，具备：

设置于所述等离子体处理容器内、载置被处理体的载置台；

设置于所述处理容器的外侧、在所述处理容器内形成感应电场的天线；

设置于所述天线和所述处理容器之间的电介质壁；

对所述天线施加高频电力而形成感应电场的高频电源；

对所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和

使所述处理容器内为真空或者减压状态的排气单元。