[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在平板显示技术领域占据着主导地位，受到了人们的广泛关注。

此外，在现有技术中，薄膜晶体管的制备通常需要进行栅金属层掩膜、栅绝缘层掩膜、有源层掩膜、源漏金属层掩膜、以及像素电极层掩膜等多次构图工艺，而每一次构图工艺中又分别包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。

然而，构图工艺的次数过多将直接导致产品的成本上升以及量产产品的产能降低，因此如何能够进一步减少构图工艺的次数也就成为了人们日益关注的问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置，可减少构图工艺的次数，从而提高量产产品的产能，降低成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括通过一次构图工艺在基板上形成有源层、源极和漏极，且所述有源层、所述源极和所述漏极位于同一层。

可选的，所述通过一次构图工艺在基板上形成有源层、源极和漏极，具体包括：在基板上形成一层半导体薄膜，并在所述半导体薄膜上形成光刻胶；采用多色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分对应待形成的半导体有源层的区域，所述光刻胶半保留部分对应待形成的所述源极和所述漏极的区域，所述光刻胶完全去除部分对应其他区域；采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分对应的所述半导体薄膜；采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；对所述半导体薄膜进行金属化处理，使露出的所述半导体薄膜转化为具有导体特性的薄膜，形成所述源极和所述漏极；对应所述光刻胶完全保留部分的所述半导体薄膜未受金属化处理影响，形成所述半导体有源层；采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

进一步可选的，对所述半导体薄膜进行金属化处理的方法，具体包括：将具有露出的所述半导体薄膜的基板置于还原性气氛中在200～400℃进行热处理；或，将具有露出的所述半导体薄膜的基板置于真空腔室中，采用氢气等离子体或氧气等离子体处理，其中，所述真空腔室内的压力为1000～2000mtorr，气体流量为5000～15000sccm。

进一步的，所述进行金属化处理的半导体薄膜为金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料。

进一步的，所述呈半导体特性的透明金属氧化物材料包括铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，简称IGZO)、铟镓氧化物(Indium Gallium Oxide，简称IGO)、非晶态铟锡锌氧化物(Indium Tin Zinc Oxide，简称ITZO)、铝锌氧化物(Aluminium Zinc Oxide，简称AZO)中的至少一种。

优选的，在形成有所述有源层、所述源极和所述漏极的基板上，通过一次构图工艺形成位于所述有源层、所述源极和所述漏极上方的栅绝缘层和栅极。

还提供一种阵列基板的制备方法，包括薄膜晶体管和像素电极的制备；所述薄膜晶体管的制备方法为上述的薄膜晶体管的制备方法。

可选的，通过一次构图工艺在基板上形成位于同一层的有源层、源极和漏极的同时，还形成与所述漏极电连接且同层的像素电极；其中，所述漏极与所述像素电极为一体结构且具有相同的材料。