[发明专利]发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光元件，特别涉及发光元件的电极构造。

背景技术

目前，发光元件为了能够均匀地发光而进行了各种开发。例如，作为具有四边形的外形的发光元件的电极构造，提出有第二电极及第一电极中的一方配置在发光元件上表面的中心，另一方以包围上述的一方的周围的方式配置的构造（日本特开2011－61077号公报、日本特开2012－89695号公报、日本特开2011－139037号公报等）。

这些各种电极构造分别为为了在发光元件的整个面上射出均匀的光并为了实现电流密度的均匀分布而提出的，但实际上即使采用这些电极构造，依然会在第二电极与第一电极之间在电流密度的分布中产生偏差，存在正向电压（Vf）变高、不能充分地得到均匀的发光且发光效率低等问题。

另外，由于第二电极和第一电极的配置、进而与这些电极的外部的连接方式，妨碍发光的金属线以较长的距离覆盖发光元件的上方，使光的取出效率降低。另外，配置于发光元件的上方的金属线由于从发光元件上的接合点向发光元件的外缘变低，也具有金属线与发光元件的外缘接触而导致短路等问题。

发明内容

本发明正是鉴于上述情况而设立的，其目的在于提供一种通过降低电极间的电流密度的分布中的偏差而进一步提高发光效率的发光元件。

本发明包含以下方面。

本发明的发光元件，具备第一导电型半导体层、设于所述第一导电型半导体层上的局部区域的第一电极、在所述第一导电型半导体层上的其它区域以包围所述第一电极的方式设置的第二导电型半导体层、设于所述第二导电型半导体层上的第二电极，其中，在平面观察下，所述第二导电型半导体层的外周形状为包含第一对角线及第二对角线的正方形，所述第一电极具有配置在所述第一对角线上的第一连接部、从所述第一连接部起在所述第一对角线上延伸的第一延伸部，

（1）所述第二电极具有：第二连接部，其在所述第一对角线上隔着所述第一延伸部而与所述第一连接部相对地配置；两个第二延伸部，其包含从所述第二连接部起向所述第一对角线的两侧延伸的第一部位及从所述第一部位起夹着所述第一延伸部直线状延伸的第二部位，

所述第一连接部的接近所述第二连接部侧的端部配置在比连结所述两个第二延伸部的前端的直线更接近所述第二连接部的一侧，并且其中心部配置在比所述第二对角线更远离所述第二连接部的一侧，或者，

（2）所述第二电极具有：第二连接部，其在所述第一对角线上与所述第一连接部相对地配置；两个第二延伸部，其包含从所述第二连接部起向所述第一对角线的两侧延伸的第一部位及从所述第一部位起夹着所述第一延伸部与所述第一延伸部平行地延伸的第二部位，

所述第一连接部的接近所述第二连接部侧的端部配置在比连结所述两个第二延伸部的前端的直线更接近所述第二连接部的一侧。

根据本发明的发光元件，能够进一步提高发光效率。

附图说明

图1A是示意地表示本发明实施方式1的发光元件的平面图；

图1B是图1A的A－A’线上的示意剖面图；

图1C是示意地表示本发明实施方式1的发光元件的变形例1的平面图；

图1D是示意地表示本发明实施方式1的发光元件的变形例2的平面图；

图2A是示意地表示本发明实施方式2的发光元件的平面图；

图2B是示意地表示本发明实施方式2的发光元件的变形例的平面图；

图3是示意地表示本发明实施方式3的发光元件的平面图；

图4是示意地表示本发明实施方式4的发光元件的平面图；

图5是示意地表示本发明实施方式5的发光元件的平面图；

图6是示意地表示本发明实施方式6的发光元件的平面图；

图7是示意地表示本发明实施方式7的发光元件的平面图；

图8A是示意地表示比较例1的发光元件的平面图；

图8B是示意地表示比较例2的发光元件的平面图；

图9A是表示本发明实施方式2的变形例、实施方式4及比较例1的发光元件的光输出（Po）和正向电压（Vf）的图表；

图9B是表示本发明实施方式3、4、5及比较例2、3的发光元件的光输出（Po）和正向电压（Vf）的图表；

图10A是表示本发明实施方式3的发光元件的电流密度的概略平面图；

图10B是表示本发明实施方式4的发光元件的电流密度的概略平面图；

图10C是表示本发明实施方式1的变形例2的发光元件的电流密度的概略平面图；