[发明专利]粘合剂膜和包括所述粘合剂膜的光学显示器有效
申请号: | 201310741074.6 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103897620B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 赵益晥;金澯佑;金起龙;金伊俊;韩仁天 | 申请(专利权)人: | 第一毛织株式会社 |
主分类号: | C09J7/02 | 分类号: | C09J7/02;C09J133/08;C09J11/06;C08F220/18;C08F220/06;C08F220/28;C08F220/58;C08F220/20;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 王峰,王珍仙 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘合剂 包括 光学 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及一种粘合剂膜和包括所述粘合剂膜的光学显示器。
背景技术
电容式触控板通过透明粘合剂膜附着于视窗或膜,以感应操作时所述视窗或膜的电容变化。在这样的触控板中,当使用者的手或某些物品(导体或液体)接近或接触单极检测板以改变单极检测板的介电常数时,通过由于所述单极检测板的介电常数变化的电容变化产生开关信号。
近年来,已经开发了柔性型光学显示器,而且用于柔性型光学显示器的粘合剂膜需要优异的弯曲性能。然而,粘合剂膜的良好弯曲性能可引起分离、起泡或拖痕(dragging marks)。
发明内容
根据本发明的一个方面,所述粘合剂膜在5%的应变、30℃和1rad/s的条件下进行扫频测试时,具有约0.12至约0.4的tanδ,并且在5%的应变、30℃和100rad/s的条件下进行扫频测试时,具有约0.2至约0.7的tanδ。
根据本发明的另一个方面,光学显示器包括基板、在所述基板上形成的用于有机发光装置(OLED)的元件、封装所述OLED元件的封装层、在所述封装层上形成的第一粘合剂膜、在所述第一粘合剂膜上形成且包括基材的透明导体、在所述基材的上侧形成的第一透明导电层和在所述基材的下侧形成的第二透明导电层、在所述第一透明导电层上形成的偏振板、在所述偏振板上形成的第二粘合剂膜和在所述第二粘合剂膜上形成的视窗,其中,所述第一粘合剂膜和所述第二粘合剂膜的至少一个包括根据本发明的粘合剂膜。
附图说明
图1为根据本发明的一个实施方式的有机发光装置的显示器的截面视图。
图2为根据本发明的另一个实施方式的有机发光装置的显示器的截面视图。
具体实施方式
下文中,将参照附图详细描述本发明的各实施方式。应当理解,本发明不限于下述实施方式,而是可以以不同方式实施,并且给出所述实施方式以提供本发明的完全公开和向本领域技术人员提供对本发明的彻底理解。在附图中,为了清楚而省略与说明书无关的部件。在整个说明书中,用相似的附图标记表示相似的部件。在本发明中,参照附图限定比如“上侧”和“下侧”的术语。因此,应当理解,术语“上侧”可以与术语“下侧”可互换地使用。另外,“(甲基)丙烯酸酯”可以指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯。
根据本发明的一个方面,粘合剂膜在5%的应变、30℃和1rad/s的条件下进行扫频测试时,具有约0.12至约0.4的tanδ,并且在5%的应变、30℃和100rad/s的条件下进行扫频测试时,具有约0.2至约0.7的tanδ。当所述粘合剂膜的tanδ不在该范围内时,所述粘合剂膜不能显示出弯曲性能。如本文使用的,“弯曲性能”可以指所述粘合剂膜能够在堆叠状态重复弯曲1000次或更多次而不会分离或起泡。
具体地,所述粘合剂膜在5%的应变、30℃和1rad/s的条件下进行扫频测试时,具有约0.12至约0.38,更具体地为约0.14至约0.38,例如约0.14、0.15、0.16、0.17、0.18、0.19、0.20、0.21、0.22、0.23、0.24、0.25、0.26、0.27、0.28、0.29、0.30、0.31、0.32、0.33、0.34、0.35、0.36、0.37或0.38的tanδ。另外,所述粘合剂膜在5%的应变、30℃和100rad/s的条件下进行扫频测试时,具有约0.3至约0.7,具体地为约0.3至约0.65,例如约0.3、0.31、0.32、0.33、0.34、0.35、0.36、0.37、0.38、0.39、0.40、0.41、0.42、0.43、0.44、0.45、0.46、0.47、0.48、0.49、0.50、0.51、0.52、0.53、0.54、0.55、0.56、0.57、0.58、0.59、0.60、0.61、0.62、0.63、0.64或0.65的tanδ。在这个范围之内,所述粘合剂膜可以获得优良的弯曲性能,而在弯曲时不会分离、起泡或拖痕。
tanδ可以指通过扫频测试测量的如等式1表示的损耗模量G"与储能模量G'的比(G"/G'):
[等式1]
tanδ=损耗模量/储能模量。
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