[发明专利]双面显示的OLED阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种双面显示的有机发光二极管阵列基板，包括：第一衬底基板、第二衬底基板以及位于所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间的第一有机发光二极管和第二有机发光二极管；其特征在于，还包括：

共用一栅电极的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，位于所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管之间，其中，所述第一薄膜晶体管用于驱动所述第一有机发光二极管，所述第二薄膜晶体管用于驱动所述第二有机发光二级管。

2.如权利要求1所述的双面显示的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述共用一栅电极的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的结构包括：

第一源/漏电极、第一有源层、第一栅绝缘层、所述栅电极、第二栅绝缘层、第二有源层及第二源/漏电极。

3.如权利要求2所述的双面显示的有机发光二极管阵列基板，其特征在于：

所述第一薄膜晶体管包括依次设置的：第一源/漏电极、第一有源层、第一栅绝缘层及所述栅电极；

所述第二薄膜晶体管包括依次设置的：所述栅电极、第二栅绝缘层、第二有源层及第二源/漏电极。

4.如权利要求2所述的双面显示的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管均包括阴极、发光层和阳极。

5.如权利要求4所述的双面显示的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述阳极为透明阳极时；

所述第一薄膜晶体管还包括：第一遮光层，位于所述第一源电极和所述第一漏电极之间形成的沟道区域与所述第一有机发光二极管之间，用于遮挡所述第一有机发光二极管向所述第一源电极和所述第一漏电极之间形成的沟道区域发射的光线；

所述第二薄膜晶体管还包括：第二遮光层，位于所述第二源电极和所述第二漏电极之间形成的沟道区域与所述第二有机发光二极管之间，用于遮挡所述第二有机发光二极管向所述第二源电极和所述第二漏电极之间形成的沟道区域发射的光线。

6.如权利要求5所述的双面显示的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，还包括：

设置于所述第一有机发光二极管和所述第一薄膜晶体管之间的：第一绝缘层、第一数据线、第一栅线及第一保护层，其中，所述第一数据线分别与所述第一有机发光二极管的阳极及所述第一薄膜晶体管的漏极连接，所述第一栅线与所述栅电极连接；

设置于所述第二有机发光二极管和所述第二薄膜晶体管之间的：第二绝缘层、第二数据线、第二栅线及第二保护层，其中，所述第二数据线分别与所述第二有机发光二极管的阳极及所述第二薄膜晶体管的漏极连接，所述第二栅线与所述栅电极连接。

7.如权利要求2所述的双面显示的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述第一有源层和所述第二有源层为氧化物半导体材料或多晶硅材料制成。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的双面显示的有机发光二极管阵列基板。

9.一种双面显示的有机发光二极管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在第一衬底基板上形成第一有机发光二极管；

在所述第一有机发光二极管上形成共用一栅电极的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

在所述第二薄膜晶体管上形成第二有机发光二极管，并在所述第二有机发光二极管上设置第二衬底基板；

其中，所述第一薄膜晶体管用于驱动所述第一有机发光二极管，所述第二薄膜晶体管用于驱动所述第二有机发光二级管。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述在第一衬底基板上形成第一有机发光二极管具体包括：

在所述第一衬底基板上制备所述第一有机发光二极管的阴极；

在所述第一有机发光二极管的阴极上制备所述第一有机发光二极管的发光层；

在所述第一有机发光二极管的发光层上制备所述第一有机发光二极管的阳极。