[发明专利]具有改进的噪声性能的X射线探测器有效
申请号: | 201310741529.4 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103904091A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | A.J.库图尔;G.帕塔萨拉蒂;J.J.刘 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 易皎鹤;汤春龙 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改进 噪声 性能 射线 探测器 | ||
1.一种制造成像探测器的方法,所述方法包括:
在衬底上沉积多个晶体管;
在关于所述衬底的第一平面形成数据读出线,所述数据读出线具有长度和宽度,并与所述多个晶体管中的至少两个晶体管电通信;
在所述数据读出线上沉积连续的无图案光电材料,所述连续的无图案光电材料与所述多个晶体管中的所述至少两个晶体管电通信;
在所述光电材料上沉积电极,所述电极被沉积在第二平面中;以及
其中,所述电极与所述数据读出线侧向偏移。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电极是连续的无图案电极,并且所述电极覆盖所述数据读出线的部分与所述数据读出线垂直偏移。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括在所述电极和所述数据读出线之间沉积介质,以使所述电极的所述部分与所述数据读出线垂直偏移。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述介质覆盖所述数据读出线的宽度。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,沉积所述介质包括在沉积所述光电材料之前,跨越所述数据读出线的宽度以及在所述电极和所述数据读出线之间沉积所述介质。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,沉积所述介质包括在沉积所述光电材料之后,跨越所述数据读出线的宽度以及在所述电极和所述数据读出线之间沉积所述介质。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,沉积所述电极包括无图案地沉积所述电极,以覆盖所述数据读出线,并且所述方法进一步包括蚀刻所述电极覆盖所述数据读出线的宽度的部分。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括按照图案沉积所述电极,以省去跨越所述数据读出线的宽度的电极。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括在沉积连续的光电材料之前,跨越所述数据读出线的宽度沉积介质层。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多个晶体管排列成具有行和列的阵列,并且,所述数据读出线的长度沿所述列之一的范围延伸,并连接到所述列中每个晶体管的输出,并且,沉积所述光电材料和沉积所述电极各自包括在所述阵列上连续地沉积所述光电材料和所述电极,使得所述光电材料和电极基本上覆盖所述数据读出线的长度和宽度。
11.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,沉积所述电极包括在所述阵列上沉积所述电极,使得在所述数据读出线的长度和宽度上垂直地对齐的所述电极的一部分与所述电极与所述数据读出线横向偏移的那一部分垂直地偏移。
12.一种用于成像装置的探测器,所述探测器包括:
多个晶体管;
数据读出线,所述数据读出线与所述多个晶体管中的至少两个晶体管电通信,所述数据线具有长度和宽度,并位于第一平面内;
连续的无图案光电材料,所述连续的无图案光电材料覆盖所述数据读出线的宽度并与所述至少两个晶体管电通信;以及
电极,所述电极覆盖所述光电材料,所述电极位于第二平面内;
其中,所述电极与所述数据读出线横向偏移。
13.根据权利要求12所述的探测器,其特征在于,所述电极是连续的无图案电极,并且所述电极覆盖所述数据读出线的部分与所述数据读出线垂直地偏移。
14.根据权利要求13所述的探测器,其特征在于,所述探测器进一步包括沉积于所述电极和所述数据读出线之间的介质,以使所述电极的所述部分与所述数据读出线垂直地偏移。
15.根据权利要求13所述的探测器,其特征在于,所述探测器进一步包括沉积于所述电极和所述数据读出线之间的介质,以规定空间关系,所述介质覆盖所述数据读出线的宽度。
16.根据权利要求15所述的探测器,其特征在于,所述介质沉积于所述光电材料和所述数据读出线之间。
17.根据权利要求15所述的探测器,其特征在于,所述介质沉积于所述电极和所述光电材料之间。
18.根据权利要求12所述的探测器,其特征在于,所述电极按照图案沉积,使得跨越所述数据读出线的宽度省去所述电极,以规定所述电极和所述数据读出线之间的空间关系。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司,未经通用电气公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310741529.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种碳纤维均匀性显微表征评价方法
- 下一篇:一种废水净化系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的