[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201310741603.2 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103715204A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 齐永莲;惠官宝;宋泳锡 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)是一种有机薄膜电致发光器件,其具有制作工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构、视角宽等优点;因此,利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
由于白光有机发光二极管(White Organic Light Emitting Diode,简称WOLED)的技术最为成熟,稳定性好、制作工艺简单,故在显示装置中获得了广泛应用。为使白光有机发光二极管能进行彩色显示,其还要与彩膜(又称彩色滤光层)配合使用。在白光有机发光二极管显示装置中,每个外界可见的最小像素点(即“可见像素”)由多个像素单元构成,每个像素单元中具有不同颜色的彩膜,从而不同像素单元的白光有机发光二极管发出的光在经过彩膜后变为不同颜色,这些不同颜色的光混合成为“可见像素”发出的光。
发明人在实现本发明的过程中发现,WOLED包括金属阳极、导电层、位于金属阳极和导电层之间的发光有机体,因此,阵列基板上除了包括薄膜晶体管单元的各层结构外,还包括彩膜和WOLED的各层结构,提高了阵列基板的层结构的复杂性,提高了阵列基板的制作难度,降低了阵列基板的生产良品率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,能够简化阵列基板的层结构和制作工艺,降低阵列基板的制作难度,进而提高阵列基板的生产良品率。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
本发明的第一方面提供了一种阵列基板,包括衬底基板、位于所述衬底基板之上的薄膜晶体管单元和彩膜,所述彩膜与所述薄膜晶体管单元的漏极电性连接,其中,所述彩膜导电。
所述的阵列基板还包括:位于所述彩膜和所述薄膜晶体管单元的漏极之间的第一绝缘层,所述第一绝缘层对应于所述薄膜晶体管单元的漏极的区域设置有第一过孔,所述彩膜通过所述第一过孔与所述漏极电性连接。
所述的阵列基板还包括:位于所述彩膜之上的有机层和导电层,所述彩膜与所述导电层配合共同驱动所述有机层发光。
所述彩膜之上形成有第二绝缘层,所述第二绝缘层设置有开口,所述有机层通过所述开口与所述彩膜电性连接。
所述的阵列基板还包括与所述彩膜配合的公共电极,以及位于所述彩膜和所述公共电极之间的第三绝缘层。
所述彩膜的材质为透明导电树脂。
在本发明实施例的技术方案中,采用了COA技术,将所述彩膜与所述薄膜晶体管单元都在同一衬底基板上形成,且使具有导电性能的彩膜与所述薄膜晶体管单元的漏极电性连接,使得彩膜相当于现有技术中的像素电极,使得该阵列基板与现有技术的阵列基板相比,至少减少了一层像素电极的结构,简化了阵列基板的层结构,降低了阵列基板的制作难度,进而提高了阵列基板的生产良品率。
本发明的第二方面提供了一种显示装置,其特征在于,包括上述的阵列基板。
本发明的第三方面提供了一种阵列基板的制作方法,包括:
形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形以及与所述漏极电性连接的彩膜。
所述形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形以及与所述漏极电性连接的彩膜包括:
形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形;
在所形成的薄膜晶体管单元的漏极的上方形成彩膜,所述彩膜导电,所述彩膜与所述薄膜晶体管单元的漏极电性连接;或,
形成彩膜;
在所述彩膜的上方形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形,所述彩膜导电,所述彩膜与所述薄膜晶体管单元的漏极电性连接。
在所形成的薄膜晶体管单元的图形的上方形成彩膜,所述彩膜导电,所述彩膜与所述薄膜晶体管单元的漏极电性连接之前,还包括:
在所形成的薄膜晶体管单元的漏极之上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层对应于所述薄膜晶体管单元的漏极的区域设置有第一过孔,以使得所述彩膜通过所述第一过孔与所述漏极电性连接。
在所述彩膜的上方形成薄膜晶体管单元的漏极,所述彩膜导电,所述彩膜与所述薄膜晶体管单元的漏极电性连接之前,还包括:
在所述彩膜之上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层对应于所述第一绝缘层对应于所述薄膜晶体管单元的漏极的区域设置有第一过孔,以使得所述彩膜通过所述第一过孔与所述漏极电性连接。
所述的制作方法,还包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的