[发明专利]顶发射有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种顶发射有机发光显示器件的阵列基板，包括薄膜晶体管区和邦定区，其特征在于，邦定区的顶部导电层为透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，邦定区的顶部导电层与薄膜晶体管区的阳极的底层透明导电薄膜由同一透明导电薄膜刻蚀形成。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 

所述薄膜晶体管区包括：

衬底，

第一阻挡层，形成于衬底上，

源、漏极区，形成于第一阻挡层上，包括源极区、沟道区和漏极区；

栅极绝缘层，形成于源、漏极区上，覆盖薄膜晶体管区；

栅电极，形成于栅极绝缘层上，对应位于源、漏极区的沟道区上方；

层间绝缘层，形成于栅极电极上，覆盖薄膜晶体管区；

源电极和漏电极，形成于层间绝缘层上，源电极与漏电极分隔设置，源电极通过形成于栅极绝缘层和层间绝缘层的通孔与源、漏极区的源极区耦合，漏电极通过形成于栅极绝缘层和层间绝缘层的通孔与源、漏极区的漏极区耦合；

第二阻挡层，形成于源电极和漏电极上，连续覆盖薄膜晶体管区；

平坦化层，形成于第二阻挡层上，并形成有显露出漏电极的通孔；

阳极，包括底层透明导电薄膜、高反射金属层和顶层透明导电薄膜；其中，

底层透明导电薄膜，形成于平坦化层上，并通过形成于平坦化层和第二阻挡层的通孔与漏电极耦合；高反射金属层，对应形成于底层透明导电薄膜上；顶层透明导电薄膜，对应形成于高反射金属层上；

所述邦定区还包括：

衬底，

第一阻挡层，形成于衬底上；

栅极绝缘层，形成于第一阻挡层上；

栅极金属层，形成于栅极绝缘层上；

源漏金属层，与栅极金属层耦合；

其中，所述顶部导电层与源漏金属层耦合。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，邦定区的栅极金属层与薄膜晶体管区的栅电极由同一金属层刻蚀形成；邦定区的源漏金属层与薄膜晶体管区的源电极和漏电极由同一金属层刻蚀形成；邦定区的顶部导电层与薄膜晶体管区的阳极的底层透明导电薄膜由同一透明导电薄膜刻蚀形成。

5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述邦定区还包括层间绝缘层，形成于栅极金属层与源漏金属层之间，该层间绝缘层形成有显露出栅极金属层的通孔，源漏金属层通过形成于层间绝缘层的通孔与栅极金属层耦合。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述邦定区还包括第二阻挡层，形成于源漏金属层与顶部导电层之间，该第二阻挡层形成有显露出源漏金属层的通孔，透明导电薄膜通过形成于第二阻挡层的通孔与源漏金属层耦合。

7.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一阻挡层为氮化硅层、氧化硅层或由氮化硅层和氧化硅层构成的双层结构；所述衬底的材质为玻璃或树脂类高分子材料，所述源、漏极区的材质为半导体材料，所述栅极绝缘层为氧化硅层、氮化硅层或氧化铝层的其中之一或其组合构成的复合层，所述第二阻挡层为氧化硅层、氮化硅层或氧化铝层的其中之一或其组合构成的复合层，所述平坦化层为有机材料，所述薄膜晶体管区的底层透明导电薄膜和顶层透明导电薄膜以及邦定区的顶部导电层的材质为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌、氧化镓锌、氧化氟锡、氧化锑锡或石墨烯的其中一种或其组合；所述高反射金属层的材质为银、铝、银合金或铝合金。