[发明专利]发光二极管封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，包括：

一个封装体；

一个发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒嵌设在封装体底部，且该发光二极管晶粒的两个电极从封装体的底部暴露出来；

一个不透光的绝缘层，该绝缘层覆盖封装体底部，且该绝缘层在对应发光二极管晶粒的两个电极处镂空而形成暴露出各发光二极管晶粒两个电极的两个凹陷部，以及

两个引脚，该两个引脚分别设置在两个凹陷部中的一者内直接与所述发光二极管晶粒的电极接触连接，并且每个引脚自绝缘层的凹陷部向远离封装体的方向延伸并局部覆盖所述绝缘层远离封装体的表面。

2.一种发光二极管封装方法，包括以下步骤：

第一步，提供一薄膜层并将多个发光二极管晶粒设置在薄膜层上，各发光二极管晶粒的两个电极均贴设在薄膜层上；

第二步，利用封装材料覆盖设置在薄膜层上的所述多个发光二极管晶粒，固化封装材料以形成底部嵌设有多个发光二极管晶粒、且底部被薄膜层覆盖的封装体；

第三步，移除薄膜层以露出嵌设有多个发光二极管晶粒的封装体底部以及各发光二极管晶粒的两个电极；

第四步，在封装体底部覆盖一层不透光的绝缘层，该绝缘层在对应各发光二极管晶粒的两个电极处镂空而形成暴露出各发光二极管晶粒两个电极的凹陷部；以及

第五步，在绝缘层的各个凹陷部内镀金属以形成与各发光二极管晶粒电极电连接的引脚，所述引脚直接与所述发光二极管晶粒的电极接触连接，各个引脚自绝缘层的凹陷部向远离封装体的方向延伸并局部覆盖所述绝缘层远离封装体的表面。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述第一步将多个发光二极管晶粒通过覆晶方式设置在薄膜层上。

4.如权利要求2所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述第二步通过模造的方式使封装材料覆盖所述薄膜层设有发光二极管晶粒的表面上。

5.如权利要求2所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述第五步向绝缘层的各个凹陷部内电镀金属以形成与各发光二极管晶粒电极电连接的引脚。

6.如权利要求2所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述第五步向绝缘层的各个凹陷部内喷镀金属以形成与各发光二极管晶粒电极电连接的引脚。

7.如权利要求2所述的发光二极管封装方法，其特征在于，还包括第六步：切割所述封装体以及绝缘层以形成多个封装结构，每个封装结构包含一个发光二极管晶粒及两个引脚。

8.如权利要求2至7任意一项所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述薄膜为UV薄膜。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述第三步先采用UV光照射UV薄膜以降低UV薄膜的粘度、然后移除UV薄膜。

10.如权利要求2所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为环氧成型模料或片状模塑料。