[发明专利]一种高灵敏度锑碱光电阴极和光电倍增管无效
| 申请号： | 201310742762.4 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103715033A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 徐向晏;安迎波;孙巧霞;刘虎林;曹希斌;卢裕;田进寿;董改云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J40/06;H01J9/12 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 杨引雪 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 光电 阴极 光电倍增管 | ||
1.一种高灵敏度锑碱光电阴极，其特征在于：包括光电阴极衬底，所述光电阴极衬底上设置有阴极增透层，阴极增透层上设置有锑碱光电阴极发射层。
2.根据权利要求1所述的高灵敏度锑碱光电阴极，其特征在于：所述光电阴极发射层是由锑和碱金属通过真空蒸发制备而成；所述碱金属是钠、钾、铯任一或任意多种以任意比例混合形成。
3.根据权利要求1所述的高灵敏度锑碱光电阴极，其特征在于：所述锑碱光电阴极发射层的厚度为20-100nm。
4.根据权利要求1所述的高灵敏度锑碱光电阴极，其特征在于：所述阴极增透层折射率位于2.3-2.6之间。
5.根据权利要求1所述的高灵敏度锑碱光电阴极，其特征在于：所述光电阴极衬底为石英玻璃或者硼硅玻璃。
6.一种光电倍增管，包括覆盖在真空容器内表面的光电阴极，其特征在于：所述光电阴极包括光电阴极衬底，所述光电阴极衬底上设置有阴极增透层，阴极增透层上设置有锑碱光电阴极发射层；所述光电阴极覆盖在真空容器的全部或部分内表面上。
7.根据权利要求6所述的光电倍增管，其特征在于：所述光电阴极发射层是由锑和碱金属通过真空蒸发制备而成；所述碱金属是钠、钾、铯任一或任意多种以任意比例混合形成。
8.根据权利要求6所述的光电倍增管，其特征在于：所述锑碱光电阴极发射层的厚度为20-100nm。
9.根据权利要求6所述的光电倍增管，其特征在于：所述阴极增透层折射率位于2.3-2.6之间。
10.根据权利要求6所述的光电倍增管，其特征在于：所述光电阴极衬底为石英玻璃或者硼硅玻璃。
11.一种高灵敏度锑碱光电阴极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1]制作阴极增透层
选择可以透射入射光的衬底，并在该衬底上制作在增透层，增透层折射率位于2.3-2.6之间；
2]制作光电阴极发射层
通过真空蒸镀的方式将碱金属与锑沉积在步骤1制作的增透层上，形成厚度为20-100nm的光电阴极发射层。
12.根据权利要求11所述的高灵敏度锑碱光电阴极的制备方法，其特征在于：所述碱金属是钠、钾、铯任一或任意多种以任意比例混合形成。
13.根据权利要求12所述的高灵敏度锑碱光电阴极的制备方法，其特征在于：所述步骤1中所述的衬底为石英玻璃或者硼硅玻璃。
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