[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201310743212.4 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752324A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 戚德奎;李新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有硅通孔凹槽；
选用牺牲材料层填充所述硅通孔凹槽；
在所述半导体衬底以及所述牺牲材料层上沉积层间金属介电层；
图案化所述层间金属介电层，以形成第一开口，露出所述牺牲材料层；
去除所述牺牲材料层，以露出所述硅通孔凹槽；
在所述硅通孔凹槽以及所述第一开口中填充导电材料，以同时形成硅通孔结构以及位于所述硅通孔结构上方的第一金属层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在填充所述牺牲材料层之前，还包括在所述硅通孔凹槽中形成隔离层的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过热氧化所述硅通孔凹槽的侧壁和底部形成所述隔离层。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，填充所述牺牲材料层之后，还包括平坦化的步骤，平坦化所述牺牲材料层至所述隔离层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述硅通孔凹槽的方法为：
在所述半导体衬底上形成硬掩膜层；
图案化所述硬掩膜层，以形成所述硅通孔凹槽的图案；
以所述硬掩膜层为掩膜，蚀刻所述半导体衬底，以形成所述硅通孔凹槽。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在填充所述导电材料之前，还包括在所述第一开口以及所述硅通孔凹槽中形成扩散阻挡层的步骤。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲材料层选用无定型碳、底部抗反射层和Ge中的一种；
所述层间金属介电层选用掺氟的硅酸盐玻璃。
8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，在填充所述导电材料之后，还包括平坦化的步骤，平坦化所述导电材料至所述层间金属介电层。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
在所述第一金属层上形成金属互连结构；
在所述金属互连结构上形成金属焊盘。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，选用大马士革工艺形成所述金属互连结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
