[发明专利]具有模场适配的半导体可饱和吸收镜在审
| 申请号： | 201310743245.9 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103715594A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 樊仲维;连富强;白振岙;张晓雷;林蔚然;张晶 | 申请（专利权）人： | 北京国科世纪激光技术有限公司;中国科学院光电研究院 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098;G02B6/255;G02B6/024 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 宋鹰武;沈祖锋 |
| 地址： | 102211 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 模场适配 半导体 饱和 吸收 | ||
1.一种具有模场适配的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括半导体可饱和吸收镜和保偏光纤模场适配器，所述半导体可饱和吸收镜和保偏光纤模场适配器耦合，形成密闭的全光纤结构；
其中，保偏光纤模场适配器包括大芯径单模保偏光纤和具有热扩芯区域的小芯径单模保偏光纤，所述大芯径单模保偏光纤和小芯径单模保偏光纤连接。
2.根据权利要求1所述的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述耦合采用紫外胶直接耦合。
3.根据权利要求1所述的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述大芯径单模保偏光纤与小芯径单模保偏光纤采用光纤熔接机熔接。
4.根据权利要求3所述的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述热扩芯区域为，
利用光纤熔接机的扫描放电，对所述小芯径单模保偏光纤的纤芯持续放电，所述纤芯会沿所述光纤熔接机电极的垂直方向往复运动，所述纤芯内的掺杂粒子扩散形成所述热扩芯区域，所述热扩芯区域的直径大于所述小芯径单模保偏光纤纤芯的直径。
5.根据权利要求4所述的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述光纤熔接机的熔接放电电流大于所述光纤熔接机的扫描放电电流。
6.根据权利要求4所述的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述光纤熔接机的扫描放电时间为5-10s。
7.根据权利要求4所述的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述热扩芯区域范围为1-5毫米。
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