[发明专利]一种运动传感器的制备方法

权利要求书

1.一种运动传感器的制备方法，包括：

提供基底，所述基底上形成有CMOS器件；

在所述基底上形成底部电极以及位于所述底部电极上方的MEMS衬底，并在所述底部电极和所述MEMS衬底间形成空腔；

蚀刻所述MEMS衬底至所述底部电极，以形成深通孔，进而露出所述底部电极；

蚀刻所述深通孔的顶部，以扩大所述深通孔顶部开口的关键尺寸；

在所述深通孔的侧壁上形成绝缘层；

在所述深通孔内沉积金属材料，然后蚀刻去除所述深通孔顶部沉积的所述金属材料，以保持所述开口具有大的关键尺寸。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

多次重复执行在所述深通孔内沉积金属材料，同时蚀刻所述深通孔顶部沉积的所述金属材料的步骤，至完全填充所述深通孔为止。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述深通孔的方法为：

在所述MEMS衬底上形成图案化的掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜，选用深反应离子刻蚀法蚀刻所述MEMS衬底，以形成所述深通孔。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述深通孔的侧壁上形成绝缘层的方法为：

在所述深通孔的侧壁和底部沉积绝缘材料；

选择性蚀刻去除所述深通孔底部的所述绝缘材料，以在所述深通孔的侧壁上形成绝缘层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底上形成底部电极的方法为：

在所述基底上沉积第一介电层；

图案化所述第一介电层，以在所述第一介电层中形成沟槽；

在所述沟槽中填充金属材料，以形成所述底部电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述底部电极上沉积第二介电层；

图案化所述第二介电层，形成凹槽，露出位于中间部分的底部电极。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第二介电层上形成所述MEMS衬底，结合所述第二介电层的所述凹槽以形成所述空腔。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第二介电层上形成所述MEMS衬底的方法为：

单独形成所述MEMS衬底；

将所述MEMS衬底通过共晶结合或者热键合的方法和所述第二介电层键合，以形成一体的结构。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述MEMS衬底的厚度为10-50um，所述深通孔的深宽比为10-15:1。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属材料为钨。