[发明专利]一种纳米碳质材料薄膜图案化的方法和设备有效
| 申请号： | 201310743905.3 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752156B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 祝晓钊 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米碳质材料 薄膜图案 刻蚀区域 工作腔 活性氧 二氧化碳气体 操作台 方法和设备 活性碳原子 强氧化作用 臭氧分解 紫外光线 紫外光源 挥发性 一氧化碳 活性碳 碳原子 臭氧 刻蚀 薄膜 照射 污染 应用 安全 | ||
1.一种纳米碳质材料薄膜图案化的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、在待刻蚀纳米碳质材料薄膜上设置光罩；
S2、采用紫外光线透过光罩照射在待刻蚀纳米碳质材料薄膜上，得到纳米碳质材料薄膜图案；
所述步骤S2在有氧环境或臭氧环境中完成。
2.根据权利要求1所述的纳米碳质材料薄膜图案化的方法，其特征在于，所述紫外光线的波长为10nm～240nm和240nm～400nm。
3.根据权利要求1或2所述的纳米碳质材料薄膜图案化的方法，其特征在于，所述光罩为金属镂空光罩或曝光光罩。
4.根据权利要求3所述的纳米碳质材料薄膜图案化的方法，其特征在于，所述纳米碳质材料薄膜的厚度为0.3nm～1000nm。
5.根据权利要求4所述的纳米碳质材料薄膜图案化的方法，其特征在于，所述纳米碳质材料为石墨烯、碳纳米管、石墨炔、富勒烯、纳米碳球中一种或多种的组合。
6.一种纳米碳质材料薄膜图案化的设备，其特征在于，包括密闭或半密闭的工作腔、所述工作腔内设置有紫外光源和操作台，所述紫外光源用于发射紫外光线，所述操作台用于放置待刻蚀的纳米碳质材料薄膜，所述纳米碳质材料薄膜上设置光罩；所述工作腔还连接设置有臭氧发生器，所述臭氧发生器向所述工作腔内通入臭氧。
7.根据权利要求6所述的纳米碳质材料薄膜图案化的设备，其特征在于，所述工作腔内还设置有用于光路准直的光路准直设备，所述紫外光线通过所述光路准直设备照射在所述操作台上。
8.根据权利要求6所述的纳米碳质材料薄膜图案化的设备，其特征在于，所述紫外光线的波长为10nm～240nm和240nm～400nm。
9.根据权利要求6所述的纳米碳质材料薄膜图案化的设备，其特征在于，所述操作台带有加热装置。
10.根据权利要求9所述的纳米碳质材料薄膜图案化的设备，其特征在于，所述加热装置的加热温度为40℃～500℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
